半导体器件物理第3篇-第2部分.pdfVIP

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2017-05-31 发布于北京
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半导体器件物理第3篇-第2部分.pdf

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3.4爱拜耳斯-莫尔方程 3.4爱拜耳斯-莫尔方程 3.4.1工作模式和少子分布前面指出，双极晶体管有四种工作模式，取决于发射结和集电结的偏置状况。 (1)正向有源工作模式： 0， 0 V V E C V V E T     n x 0 基区少子满足的边界条件为n 0 n e ， p p 0 p B (2)反向有源工作模式： V 0，V 0 E C V V 相应的边界条件为: ,   C T   n x n e n 0 0 p p B p 0 (3)饱和工作模式： V 0， V 0 E C V V V V 相应的边界条件为: E T ,   C T   n x n e np 0 np 0 e p B p 0 V V (4) 截止工作模式: 0， 0 E C 相应的边界条件为:     n 0 n x 0 p p B 3.4爱拜耳斯-莫尔方程 V V   E T 此外， p E xE p E 0 P W  P e E E E 0   VC / VT p C  p C 0 PC (xC ) PC 0e 四种工作模式及相应的少子分布正向有源饱和