第2章集成电路与器件物理基础.ppt

集成电路设计技术与工具 第二章 集成电路材料与器件物理基础 本章基本要求： 掌握集成电路材料的种类及功能； 了解半导体材料的特性； 了解欧姆型接触和肖特基（Schottky）型接触及其区别； 了解双极型晶体管、MOS晶体管及金属半导体场效应晶体管（MESFET)的基本结构 内容提要 2.1 集成电路材料及其功能 2.2 半导体材料的特性 2.3 欧姆型接触 2.4 双极型晶体管的基本结构 2.5 MOS晶体管的基本结构 2.6 金属半导体场效应晶体管（MESFET）的基本结构 2.7 本章小结 2.1集成电路（IC）材料及其功能 材料按导电能力可以分为导体、半导体和绝缘体三类 。IC制造所应用到的材料见下表： 作为导体，铝、金、钨、铜等金属和镍铬等合金在集成电路工艺中主要具有如下功能： （1）构成低值电阻； （2）构成电容元件的极板； （3）构成电感元件的绕线； （4）构成传输线（微带线和共面波导）的导体结构； （5）与轻掺杂半导体构成肖特基结接触； （6）与重掺杂半导体构成半导体器件的电极的欧姆接触； （7）构成元器件之间的互连； （8）构成与外界焊接用的焊盘。 重掺杂的多晶硅电导率接近导体，因此常常被作为导体看待，主要用来构成MOS晶体管的栅极以及元器件之间的短距离互连。 作为绝缘体，二氧化硅、氮氧化硅、氮化硅等硅的氧化物和氮化物在集成电路工艺中主要具有如下功能： （1）构成电容的绝缘介质；（MIM电容） （2）构成金属-氧化物-半导体器件（MOS）的栅绝缘层； （3）构成元件和互连线之间的横向隔离； （4）构成工艺层面之间的垂直隔离； （5）构成防止表面机械损伤和化学污染的钝化层。 半导体材料，是集成电路制造中的核心材料，则主要利用半导体掺杂以后形成P型和N型半导体，在导体和绝缘体材料的连接或阻隔下组成各种集成电路的元件—半导体器件。 半导体材料在集成电路的制造中起着根本性的作用。 2.2 半导体的特性 半导体材料具有以下特性： 通过掺入杂质可明显改变半导体的电导率。 当半导体受到外界光电热等激发时，其导电能力将发生显著的变化。 利用金属与掺杂的半导体材料接触，可以形成肖特基二极管和金属-半导体场效应晶体管（MESFET）与高电子迁移率晶体管（HEMT）等器件。 对不同区域的半导体材料进行不同类型和浓度的掺杂，可以形成不同类型，不同功能的晶体管。 利用金属-氧化物-半导体结构，可以形成PMOS、NMOS和CMOS场效应晶体管。 总之，正是由于这些独特的特性使得半导体材料在微电子方面具有十分重要的作用。 2.3 肖特基接触与欧姆接触 金属与半导体接触时，由于金属费米能级与半导体的费米能级不同，将导致电子从金属流向半导体或者半导体流向金属。从而形成肖特基接触。 理论上当金属的费米能级高于P型半导体的费米能级时，或者金属费米能级低于N型半导体的费米能级时，由于电子或空穴的流动将在半导体表面附近产生势垒区形成肖特基接触。其他情况不形成肖特基接触 事实上由于半导体表面态的存在，金属与轻掺杂的半导体接触都能形成肖特基接触。 当金属与重掺杂的半导体接触时，由于半导体中的多子浓度大，形成的势垒区将非常薄。这导致金属中的电子不用越过接触势垒就能够通过隧穿效应达到半导体中。半导体中的载流子同样如此。此时势垒对载流子的阻碍作用几乎可以忽略，载流子能够 “自由”通过金属与半导体的接触区。这样的金属与半导体接触称为欧姆接触。 2.4 双极型晶体管2.4.1 双极型晶体管的基本结构 在半导体晶体中形成两个靠得很近的PN结即可构成双极型晶体管。 它们的排列顺序可以是N-P-N或者P-N-P。前者我们称之为NPN晶体管，后者称之为PNP晶体管。 三个区域分别称为发射区、基区和集电区，对应引出的电极分别称为发射极E、基极B和集电极C。E-B之间的PN结称为发射结，C-B之间的PN结称为集电结。 一般在制作时，发射区的掺杂浓度远远高于基区和集电区；基区做的很薄（以微米甚至纳米计）；集电结的面积大于发射结的面积。因此，在使用时，E、C两个电极是不能交换的。电路符号中E电极的箭头，表示正向电流的方向。 2.4.2 双极型晶体管的工作原理 由于晶体管有两个PN结，所以它有四种不同的运用状态。 （1）发射结正偏，集电结反偏时，为放大工作状态； （2）发射结正偏，集电结也正偏时，为饱和工作状态； （3）发射结反偏，集电结也反偏时，为截止工作状态； （4）发射结反偏，集电结正偏时，为反向工作状态。 在放大电路中，主要应用其放大工作状态。 双极型晶体管的放大作用就用正向电流放大倍数βF来描述， βF定义为： 也称为共发射极电流放大系数，βF远远大于1（通常大于100）。 如果将发射极和集电极对换，从原理上讲没有本质上的不同。但由于晶体管的