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第1章常用的半导体器件课件
1.4.3 晶体三极管的伏安特性曲线 输出特性是只在基极电流IB一定的情况下,集电极与发射极之间的电压uCE与集电极电流iC之间的关系,即 2. 输出特性曲线 通常把输出特性曲线分成截止、饱和、放大三个工作区来分析半导体三极管的工作状态。 1.4.3 晶体三极管的伏安特性曲线 总结三极管三个工作区的特点,见表1.4.1. 表1.4.1晶体管在不同工作状态下的特点 【例1.4.1】测得工作在放大电路中两个晶体管管脚对地的电位分别如下表所列。试判断管型、电极及所用材料。 1.4.3 晶体三极管的伏安特性曲线 管脚 1 2 3 管脚 1 2 3 电位(V) +4.2 +3.6 +12 电位(V) -6 -2.3 -2 晶体管1 晶体管2 (1)晶体管1中,3脚电位最高,它是集电极C,且为NPN型管。1脚和2脚之间的电压为0.6V,可确定1脚是基极、2脚是发射极,且为硅管。 (2)晶体管2中,1脚电位最低,它是集电极C,且为PNP型管。2脚和3脚之间的电压为0.3V,可确定2脚是基极、3脚是发射极,且为锗管。 【例1.4.2】在图1.4.6中,给出了实测双极型三极管各个电极的对地电位,试判定这些三极管是硅管还是锗管?处于哪种工作状态? 1.4.3 晶体三极管的伏安特性曲线 (a) (b) (c) 图1.4.6 例1.4.2图 (1)在(a)图中,晶体管为NPN型。因为UBE=0.7V,发射结正偏,为硅管。又因为VB>VC,集电结也正偏,故工作在饱和状态。 【例1.4.2】在图1.4.6中,给出了实测双极型三极管各个电极的对地电位,试判定这些三极管是硅管还是锗管?处于哪种工作状态? 1.4.3 晶体三极管的伏安特性曲线 (a) (b) (c) 图1.4.6 例1.4.2图 (2)在(b)图中,晶体管为NPN型。因为UBE=0.3V,发射结正偏,为锗管。又因为VB<VC,集电结反偏,故工作在放大状态。 【例1.4.2】在图1.4.6中,给出了实测双极型三极管各个电极的对地电位,试判定这些三极管是硅管还是锗管?处于哪种工作状态? 1.4.3 晶体三极管的伏安特性曲线 (a) (b) (c) 图1.4.6 例1.4.2图 (3)在(c)图中,晶体管为PNP型。因为UBE=+0.6-0=+0.6V,发射结反偏(PNP型),又因为VB>VC ,集电结也反偏,故工作在截止状态。此时无法判别是硅管还是锗管。 ICEO=(1+β)ICBO (2)交流电流放大系数β=△IC / △IB (1)直流电流放大系数β=IC / IB 1.电流放大系数 (1)集电极基极间反向饱和电流 ICBO (2)集电极发射极间穿透电流 ICEO 2. 极间反向饱和电流 1.4.4 晶体三极管的主要参数 1.4.4 晶体三极管的主要参数 4.温度对三极管参数的影响 3.极限参数 (1)集电极最大允许电流ICM (2)集电极最大允许耗散功率PCM (3)集电极击穿电压U(BR)CEO (1)对IEBO 、ICBO的影响——温度每升高10℃,ICBO增大一倍。 (2)对β的影响——温度每升高1℃,β增加0.5%~1.0%左右 (3)对发射结导通电压UBE的影响——温度每升高1℃,│UBE│ 减小2~2.5 mV。 晶体三极管(BJT)是一种电流控制元件(iB~ iC),工作时,多数载流子和少数载流子都参与导电,所以被称为双极型器件。 场效应管(Field Effect Transistor简称FET)是一种电压控制器件(uGS~ iD) ,工作时,只有一种载流子参与导电,因此它是单极型器件。 FET因其制造工艺简单,功耗小,温度特性好,输入电阻极高等优点,得到了广泛应用。 1.5 场效应管 场效应管分类 1.5 场效应管 1.5.1 绝缘栅场效应管 1. N沟道增强型MOS管 (1
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