GB/T 12964-2003硅单晶抛光片.pdf

GB/T12964-2003 前 言 本标准修改采用半导体设备和材料国际组织标准SEMIMl-0997((硅单晶抛光片规范》中的有关 内容，对GB/T12964-1996进行修订而成的。主要在原标准的内容上增加了直径200mm直拉硅单 晶抛光片的内容。 本标准由中国有色金属工业协会提出。 本标准由中国有色金属工业标准计量质量研究所负责归口。 本标准由北京有色金属研究总院、洛阳单晶硅有限责任公司负责起草。 本标准主要起草人:翟富义、孙燕、董慧燕、卢立延、曹孜、孙文海。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为: — GB/T12964-1991,GB/T12964-19960 GB/T 12964-2003 硅 单 晶 抛 光 片 范围 本标准规定了硅单晶抛光片(简称硅抛光片)的必要的相关性术语、产品分类、技术要求、试验方法、 检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。 本标准适用于直拉硅单晶研磨片经腐蚀减薄后进行单面抛光制备的硅抛光片。产品主要用于制作 集成电路等半导体器件或做为硅外延沉积的衬底。 2 规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有 的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究 是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。 GB/T 1550-1997非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T 1552-1995硅、锗单晶电阻率测定 直排四探针法 GB/T 1554-1995硅晶体完整性 化学择优腐蚀检验方法 GB/T 1555-1997半导体单晶晶向测定方法 GB/T 1558-1983测定硅晶体中代位碳含量的红外吸收方法 GB/T 2828-1987逐批检查计数抽样程序及抽样表(适用于连续批的检查) GB/T 4058-1995硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法 GB/T 6616-1995半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法 GB/T 6618-1995硅片厚度和总厚度变化测试方法 GB/T 6619-1995硅片弯曲度测试方法 GB/T 6620-1995硅片翘曲度非接触式测试方法 GB/T 6621-1995硅抛光片表面平整度测试方法 GB/T 6624-1995硅抛光片表面质量目检测试方法 GB/T 11073-1989硅片径向电阻率变化的测试方法 GB/T 12962-1996硅单晶 GB/T 13387-1992 电子材料晶片参考面长度测试方法 GB/T 13388-1992硅片参考面结晶学取向X射线测量方法 GB/T 14140. 1-1993硅片直径测量方法 光学投影法 GB/T 14140.2-1993硅片直径测量方法 千分尺法 GB/T 14143-1993300-v900 pm间隙氧含量红外吸收测量方法 GB/T 14264-1993半导体材料术语 GB/T 14844-1993半导体材料牌号表示方法 YS/T 26-1992硅片边缘轮廓检验方法 3 术语 主参考面直径 primary flat diameter 从参考面的中心沿着垂直参考面的直径，通过硅片达对面的边缘周边处的直线长度。见图la). 标准分享网 免费下载 GB/T 12964-2003 哪 侧 旧 柳