GB/T 16595-1996晶片通用网格规范.pdf

ICs29.045 H 21 G(黔 中 华 人 民 共 和 国 国 家 标 准 GB/T 16595一1996 晶 片 通 用 网 格 规 范 Specificationforauniversalwafergrid 1996一11一04发布 1997一04一01实施 国 家 技 术 监 督 局 发 布 GB/T 16595一 1996 前 言 本标准等效采用半导体设备和材料国际组织SEMIM17-90((晶片通用网格规范》，结合我国的实 际情况制定的，用于定量描述圆形半导体晶片上非均匀分布的表面缺陷。 本标准适用于定量GB/T12964,GB/T14139中晶片的表面缺陷。 在引用标准中，SEMIM17中引用的凡已转化成我国标准的国外标准，都引用现行的我国标准。 与本标准配套的规范有GB/T16596-1996确《定晶片坐标系规范》。 本标准由中国有色金属工业总公司提出。 本标准由中国有色金属工业总公司标准计量研究所归口。 本标准由中国有色金属工业总公司标准计量研究所负责起草。 本标准主要起草人:吴福立。 本标准 1996年 11月首次发布。 中华人民共和国国家标准 GB/T 16595一1996 晶 片 通 用 网 格 规 范 Specificationforauniversalwafergrid 1 范围 1.1本标准规定了可用于定量描述公称圆形半导体晶片表面缺陷的网格图形。网格规定包含1000个 面积近似相等的网格单元，每个网格单元相当于受检表面固定优质区总面积的。.1%。根据晶片表面上 有缺陷的面积百分比(或有效的面积百分比)，可定量其非均匀分布的表面缺陷(例如，滑移)。 1.2 把透明的网格覆盖到晶片缺陷图形上或把被观测的晶片缺陷图形映到网格上，定量有缺陷的面 积，计算含有缺陷的网格单元的数量。该单元数除以10相当于有缺陷面积的百分比。也可将该网格叠 加在CRT显示器、照片或计算机绘制的图上。使用时，网格的直径必须与所覆盖的晶片图形或图像尺 寸成比例。 1.3 网格以晶片中心来定位。根据GB/T12964或SEMIM1规定的晶片公称直径，使用“固定优质 区”的概念。 1.4 外延层上滑移和其他非均匀分布的缺陷，最大允许值已在GB/T14139,SEMIM2和SEMIM11 中规定，按照GB/T6624,GB/T14142和YS/T209进行观测。 2 弓{用标准 下列标准所包含的条文，通过在本规范中引用而构成为本规范的条文。本规范出版时，所示版本均 为有效。所有标准都会被修订，使用本规范的各方应探讨使用下列标准最新版本的可能性. 2.1 我国标准 GB/T1554-1995硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB/T6624-1995硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T12964-1991硅单晶抛光片 GB/T14139-93 硅单晶外延片 GB/T14142-93 硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法 GB/T14264-93 半导体材料术语 YS/T209-94硅材料原生缺陷图谱 2.2 SEMI标准 SEMIM1-94硅单晶抛光片规范 SEMIM2-94硅单晶外延片规范 SEMIMll-94 先进电路用硅单晶外延片规范 定义 本标准中使用的定义分别由GB/T14264和SEMIM1提供。 国家技术监督局1996一11一04批准 1997一04一01实施 GB/T 16595一1996 4 网格单元布局 4.1 网格单元平面图 4. 1，规