第4章半导体二极管及其应用.pptVIP

第4章 半导体二极管及其应用 4.1半导体基础知识 半导体的结构特点 现代电子学中，用得最多的半导体是硅和锗，它们的最外层都电子（价电子）都是四个。 一、本征半导体 本征半导体就是纯净半导体。 本征半导体中的四价元素是靠共价键结合成分子的。 共价键具有很强的结合力 ，使原子规则排列，形成晶体。 在硅和锗晶体中，每个原子都处于正四面体的中心，其它原子处在四面体的顶点，每个原子与其相邻的原子间形成共价键。 本征激发和两种载流子 在常温下，本征半导体内部仅有极少数的价电子可以在热运动的激发下，挣脱原子核的束缚而成为晶格中的自由电子，与此同时，在共价键中将留下一个带正电的空位子，称为空穴。 热运动激发所产生的电子和空穴总是成对出现的，称为电子-空穴对。 本征半导体因热运动而产生电子-空穴对的现象称为本征激发 。 半导体内部同时存在着自由电子和空穴移动所形成的电流是半导体导电方式的最大特点，也是半导体与金属导体在导电机理上本质的差别。 在电子技术中把参与导电的物质称为载流子。 本征半导体中有两种载流子，一种是带负电的自由电子，另一种是带正电的空穴。 本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。 温度越高，由本征激发所产生的电子-空穴对越多，本征半导体内部载流子的浓度也越高，本征半导体的导电能力就越强，这就是半导体导电能力受温度影响的直接原因。 本征半导体本征激发的现象还与原子的结构有关，硅的最外层电子离原子核较锗的最外层电子近，所以硅最外层电子受原子核的束缚力较锗的强，本征激发现象比较弱，热稳定性比锗好。 二、杂质半导体 半导体的导电能力除了与温度有关外，还与半导体内部所含的杂质有关。 在本征半导体中掺入微量的杂质，可以使杂质半导体的导电能力得到改善，并受所掺杂质的类型和浓度控制，使半导体获得重要的用途。 由于掺入半导体中的杂质不同，杂质半导体可分为N型半导体和P型半导体两大类。 1、 N型半导体 在本征半导体硅（或锗）中，掺入微量的五价元素，如磷（P）。 五价元素的四个价电子与硅（或锗）原子组成共价键后、将多余一个价电子。 N型半导体中的载流子是什么？ （1）由施主原子提供的电子，数目与施主原子相同； （2）本征激发成对产生的电子和空穴。 2、P型半导体 在本征半导体硅（或锗）中，掺入微量的三价元素，如硼（B）。 三价元素的3个价电子与硅（或锗）原子组成共价键后、将产生一个空位。 P型半导体中的载流子是什么？ （1）由于受主原子而产生的空穴，数目与受主原子相同； （2）本征激发成对产生的电子和空穴。 三、PN结 利用特殊的掺杂工艺，可以在一块晶片的两边分别生成N型和P型半导体，在两者的交界处将形成PN结。 2、PN结的单向导电性 （1）外加正向电压-----正向偏置 (P接+,N接 -) （2）外加反向电压-----反向偏置 (P接 -, N接 +) 3、 PN结的电流方程 当PN结外加电压为u，产生电流 i，若它们的参考方向关联，并且P为+,N为 -，则电流方程为： 4、PN结的伏-安特性曲线 当PN结外加正向电压uUT时， 4.2 半导体二极管 4.2.3 二极管的主要参数 (1) 最大整流电流IF 指二极管长期工作时允许流过的正向平均电流的最大值。这是二极管的重要参数，使用中不允许超过此值。 对于大功率二极管，由于电流较大，为了降低PN结的温度，提高管子的带负载能力，通常将管子安装在规定的散热器上使用。 (2) 反向工作峰值电压UR 反向工作峰值电压UR是二极管工作时允许外加反向电压的最大值。 通常UR为二极管反向击穿电压UBR的一半。 (3) 反向峰值电流IR 反向峰值电流IR是二圾管未击穿时的反向电流。IR愈小，二极管的单向导电性愈好。 (4) 最高工作频率fM 最高工作频率fM是二极管工作时的上限频率，超过此值，由于二极管结电容的作用，二极管将不能很好的实现单向导电性。 4.2.4 二极管极性的简易判别法 利用万用表的R×100，或R×1K档测量。 数字万用表的红表笔插在“+”插孔上，相当于红表笔与万用表内电池的负极相连，黑表笔与万用表内电池的正极相连。 模拟万用表的红表笔插在“+”插孔上，相当于红表笔与万用表内电池的正极相连，黑表笔与万用表内电池的负极相连。 4.3 二极管的应用 4.3.1二极管整流电路 1、半波整流 2、桥式整流（全波整流）　 4.4 稳压管 稳压管又称齐纳二极管。 它是一种特殊的面接触型硅晶体二极管。 由于它有稳定电压的作用，经常应用在稳压设备和 一些电子线路中。 稳压管的正常工作范围，是在伏安特性曲线上 的反向