TiO2表面氧空位对Rup2P／TiO2／ITO 薄膜电极光致电荷转移的影响.pdfVIP

物理化学学~E(WuliHuaxueXuebao1 850 Acta尸 ．一Chim．Sin．2012，28(4)，850-856 April [Article] doi：10．3866／PKU．WHX1 www．whxb．pku．edu．cn TiO2表面氧空位对Rup2P／TiO2／ITO薄膜电极光致电荷转移的影响 程 辉 董江舟 巢 晖。 姚江宏 ， 曹亚安 ， (南开大学物理科学学院，天津300071； 南开大学泰达应用物理学院，弱光非线性光子学教育部重点实验室，天津300457； 中山大学化学与化学工程学院，广州510275) 摘要：采用改性的TiCI水解法制备出三种不同表面性质的TiO．X(X=5，10，20，X表示加入NaOH的浓度，单 位为mol·L1)样品．利用 (1，10．邻菲咯啉)-2一(2-吡啶基)苯咪唑钌混配配合物 (Rup：P)作为敏化剂，制备出 RupP／TiO．5／ITO(铟锡金属氧化物)、RupPT／iO一10／ITO和Rup：P／TiO．20／ITO表面敏化薄膜 电极．测试结果 表 明三种薄膜 电极的光电转换效率RupP／TiO-10／ITO最高，RupP／TiO一20／ITO次之，RupP／TiO．5／ITO最 低．利用吸收光谱、表面光 电压(SP)谱、荧光光谱和表面光 电流作用谱等分析了RupP和三种TiO 的能带结构 和表面性质：利用光致循环伏安和表面光电流作用谱研究了三种RupP／TiO：-X／rfO薄膜电极的光致界面电荷 转移过程．结果表明，在光致界面 电荷转移过程中，TiO层表面氧空位对RupP／TiO．X／ITO薄膜电极光致电荷 转移产生重要影响．并进一步讨论了RupP／TiO．X／ITO薄膜电极的光电流产生机理． 关键词： RupzP：TiOz：表面敏化：RupP／TiO-X／ITO；光致 电荷转移 中图分类号： 0646；0647 InfectionofOxygenVacancyattheTiO2SurfaceforFiIm Electrode Rup2P／TiOdlTOPhoto—InducedChargeTransfer CHENG Hui’一 DONG Jiang-Zhou CHAO Hui。 YAO Jiang—Hong’’ CAO Ya—An’， CCollegeofPhysics．NankaiUniversity,Tianjin300071PR．China；2 dnAppliedPhysicsSchoolTheKey LaboratoryofWeakLightNonlinearPhotonics，MinistryofEducation，NankaiUniversiyt,Tianjin300457, R．China； SchoolofChemicalandChemistryEngineering,SunYat—SenUniversity,Guangzhou510275． R．China1 Abstract： ThesurfacepropertiesofTiO2 (X=5，10，20，X=[NaOH】(inmol· ))samplespreparedby modificationofhydrolyzedTiCI4werestudied．TheSUrface—sensitizedRu(phen)2(PIBH)(Rup2P)(phen= phenanthr0Iine，PIBH=pyridylbenzimidazolehybrid)film electrodesRup2PT／iO2—5／ITO (indium tinoxide)， Rup2P／TiO2-10／ITO，and Rup2P／TiO2-20／lTO were prepared．Among th