中南大学模拟电子技术B试题2.pdfVIP

中南大学考试试卷 … … … 2012~2013 2 2012~2013 2 学年 22学期 模电II 课程 时间100 分钟 … 线 48 3 100 70 % 封 48 3 100 70 % 4488 学时， 33 学分，闭卷，总分110000分，占总评成绩 7700 %% ○○ 密 卷 题 一 二 三 四 五 六 七 八 九 合计 评 号 … 学 院 … 得 … … 分 … … 评卷 理 人 处 分 复查 专业班级 0 人 按 绩 成 试 得 分 —、填空题(15分，每空1分) 考 者 评卷人 1.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的__杂质浓度 违 ___，而少数载流子的浓度则与__温度___有很大关系。 ， 学 号 息 2.PN 结具有__单向导电性__。 信 3. 工作在放大区的某三极管，如果当I 从12μA 增大到22μA 时，I 从1mA 变为2mA，那 生 B C 考 么它的β约为_100_。 写 填 4. 在由NPN 管组成的单管共射放大电路中，当静态工作点__过高___时，将产生饱和失真。 准 不 当静态工作点 过低 时，将产生截止失真。 外 姓 名 线 5. 为了稳定静态工作点，应引入 直流负反馈 ；为了稳定放大倍数，应引入 交流负反馈 。 封 6. 集成运放有 线性区 和 非线性区 两个工作区， 密 ， 7. 为了消除交越失真，应当使功