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一种低噪声高线性度CMOS上变频混频器Ξ-复旦大学
第28卷 第3期 固体电子学研究与进展 V o l. 28,N o. 3
2008 年9 月 R ESEA RCH PRO GR ESS O F SSE Sep. , 2008
射频与微波
一种低噪声高线性度CMO S 上变频混频器
金黎明 倪熔华 唐长文 闵 昊
(复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室, 上海, 201203)
收稿,收改稿
摘要: 设计实现了一种采用开关跨导型结构的低噪声高线性度上变频混频器, 详细分析了电路的噪声特性和
线性度等性能参数, 本振频率为900 M H z。芯片采用0 18 m M ixed signal CM O S 工艺实现。测试结果表明, 混频
器的转换增益约为8 dB , 单边带噪声系数约为11 dB , 输入参考三阶交调点( IIP 3) 约为105 dBm 。芯片工作在18 V
电源电压下, 消耗的电流为 10 mA , 芯片总面积为0 63 mm ×0 78 mm 。
关键词: 混频器; 开关跨导; 噪声系数; 三阶交调点
中图分类号: TN 4 文献标识码: A 文章编号:(2008) 0336305
A L ow No ise H igh L inear ity CMOS Upconversion M ixer
J IN L im ing N I Ronghua TAN G Zhangw en M IN H ao
(S tate K ey L aboratory of A S IC and S y stem , F ud an U niversity , S hang hai , 201203, CH N )
Abstract: In th is paper , a low no ise h igh linearity m ixer is p resen ted , exp lo iting a sw itched
. ( ) .
tran sconducto r topo logy Its no ise figu re N F and linearity are analyzed particu larly T he LO
900 . 018 .
frequency is M H z T he m ixer ch ip is im p lem en ted in m m ixed signal CM O S p rocess
T he m
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