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(1) 气态源： AsH3，PH3，B2H6 (2) 固态源： 四、扩散工艺和设备 1、目前的扩散工艺已基本被离子注入取代，只有在进行重掺 杂时还用扩散工艺进行。 2、 扩散工艺的分类主要取决于杂质源的形态，常见的杂质源 形态包括： 单磷酸铵 (NH4H2PO4) 砷酸铝 (AlAsO4) 硼源：BBr3(沸点90℃) 磷源：POCl3(沸点107℃) (3) 液态源 * 第二章 扩散工艺 (Diffusion process) ■ 概述 ■ 扩散原理(模型与公式) ■ 实际扩散分布的分析 ■ 扩散工艺和设备 ■ 扩散工艺质量检测 扩散工艺(Diffusion process) 参考资料： 《微电子制造科学原理与工程技术》第3章扩散 (电子讲稿中出现的图号是该书中的图号) ■ 在lC制造中主要采用扩散法和离子注入法。 ■ 高浓度深结掺杂采用热扩散法，浅结高精度掺杂用离子注入法。 一、概述 1、掺杂和扩散 1）掺杂 ( Doping) 用人为的方法将所需杂质按要求的浓度和分布掺入到半导体 材料中，达到改变材料的电学性质、形成半导体器件结构的 目的，称之为“ 掺杂 。 2）掺杂的方法 合金法、扩散法、离子注入法。 3）常用的掺杂杂质 P (磷)、B(硼)、 As(砷)、Sb(锑) 3）形成MOSFET中的漏区和源区 2、扩散工艺在IC制造中的主要用途： 1）形成硅中的扩散层电阻 2）形成双极型晶体管的基区和发射区 1）扩散运动：物质的随机热运动，趋向于降低其浓度梯度； 即存在一个从高浓度区向低浓度区的净移动。 2）扩散工艺：利用杂质的扩散运动，将所需要的杂质掺入硅 衬底中，并使其具有特定的浓度分布。 3）研究杂质在硅中的扩散运动规律的目的： 3、扩散运动与扩散工艺 ■ 开发合适的扩散工艺，预测和控制杂质浓度分布。 ■ 研究IC制造过程中其他工艺步骤引入的扩散过程 对杂质分布和器件电特性的影响。 二、扩散原理(模型与公式) （一）费克一维扩散方程 描述扩散运动的基本方程一费克第一定律 其中，C是杂质浓度，D是扩散率(扩散系数)，J是杂质净流量 根据物质守恒定律，杂质浓度随时间的变化率与当地扩散流量的减小相等，即： 上式被称为费克简单扩散方程 代入式(2.1)，得到费克第二定律 假设D与位置无关，式(2.2)可简化为： 位置变量用沿硅圆片深度方向(z)取代，上式可改写为： (2) 填隙型杂质 （二）扩散率D 与扩散的原子模型 1、根据杂质在半导体材料晶格中所处的位置， 可将杂质分为两类： (1) 替位型杂质 ■ 填隙型杂质扩散很快 ■ 对硅掺杂水平无直接贡献 2、杂质扩散机制 (1) 填隙扩散(Interstitial Diffusion Mechanism) (2) 直接交换式扩散(Interstitial Diffusion Mechanism) 替位型杂质原子必须打破与周围本体原 子间的键合，才能进行直接交换式扩散。 杂质原子 本体原子 2、杂质扩散机制 ■ 空位扩散需要的激活能比直接交换式扩散小； (3) 空位扩散(vacancy-assisted Diffusion Mechanism) 杂质原子 本体原子 2、杂质扩散机制 ■ 空位扩散是替位型杂质的主要扩散机制之一 ■ 杂质原子占据另一个晶格位置，该晶格位置上的本体原子 被移开并成为自填隙原子。 (4) 推填隙式扩散(Interstitialcy Diffusion Mechanism) 杂质原子 本体原子 注意：只有存在空位扩散时，才能发生推填隙扩散。 扩散过程： ■ 替位式杂质原子被自填隙本体原子推到填隙位置； 2、杂质扩散机制 不需要自填隙本体原子来推动扩散过程的进行 (5) 挤出式扩散(Kick-out Diffusion Mechanism)与 Frank-Turnbull式扩散(Frank-Turnbull Diffusion Mechanism) 杂质原子 本体原子 2、杂质扩散机制 2）空位模型：总扩散率是所有荷电状态的空位的扩散率的加权 总和，加权系数是这些空位存在的概率。 3、Fair空位模型： 1）“空位电荷：中性空位俘获电子，使其带负电；中性空位 的邻位原子失去电子，可使空位带正电。 总扩散率表达式： 带电空位的数量 建立在空位扩散机制的基础上 ■ 硅中杂质的扩散