扩散部工艺培训54458.doc

扩散部工艺培训 ----主要设备、热氧化、扩散、合金 扩散部 2002年7月 前言： 扩散部按车间划分主要由扩散区域及注入区域组成，其中扩散区域又分扩散老区和扩散新区。扩散区域按工艺分，主要有热氧化、扩散、LPCVD、合金、清洗、沾污测试等六大工艺。本文主要介绍热氧化、扩散及合金工艺。 目录 第一章：扩散区域设备简介…………………………………… 第二章：氧化工艺 第三章：扩散工艺 第四章：合金工艺 第一章：扩散部扩散区域工艺设备简介 炉管设备外观： 扩散区域的工艺、设备主要可以分为： 类别 主要包括 按工艺分类 热氧化 一氧、二痒、场氧、Post氧化 扩散 推阱、退火/磷掺杂 LPCVD TEOS、SI3N4、POLY 清洗 进炉前清洗、漂洗 合金 合金 按设备分类 卧式炉 A、B、C、D、F、H、I六台 立式炉 VTR-1、VTR-2、VTR-3 清洗机 FSI-1、FSI-2 炉管：负责高温作业，可分为以下几个部分： 组成部分 功能 控制柜 →对设备的运行进行统一控制； 装舟台： →园片放置的区域，由控制柜控制运行 炉 体：对园片进行高温作业的区域，由控制柜控制升降温常用杂质(硼,磷,砷等)在氧化层中的扩散系数远小于在硅中的扩散系数，因此氧化层具有阻挡杂质向半导体中扩散的能力。利用这一性质，在硅上的二氧化硅层上刻出选择扩散窗口，则在窗口区就可以向硅中扩散杂质，其它区域被二氧化硅屏蔽，没有杂质进入，实现对硅的选择性扩散。 1960年二氧化硅就已被用作晶体管选择扩散的掩蔽膜，从而导致了硅平面工艺的诞生，开创了半导体制造技术的新阶段。同时二氧化硅也可在注入工艺中，作为选择注入的掩蔽膜。作为掩蔽膜时，一定要保证足够厚的厚度，杂质在二氧化硅中的扩散或穿透深度必须要小于二氧化硅的厚度，并有一定的余量，以防止可能出现的工艺波动影响掩蔽效果。 2．1. 2缓冲介质层 其一：硅与氮化硅的应力较大，因此在两层之间生长一层氧化层，以缓冲两者之间的应力，如二次氧化；其二：也可作为注入缓冲介质，以减少注入对器件表面的损伤。 2．1．3电容的介质材料 电容的计算公式： C=(0*(r*S/d (0：真空介质常数 (r：相对介电常数 S：电容区面积 D：介质层厚度 二氧化硅的相对介电常数为3-4。二氧化硅的耐击穿能力强，温度系数小，是制作电容介质的常用材料。在电容的制作过程中，电容的面积和光刻、腐蚀有较大的关系，而厚度则由二氧化硅的厚度决定。 2．1．4 集成电路的隔离介质 二氧化硅的隔离效果比PN结的隔离效果好，漏电流小，耐击穿能力强，隔离区和衬底之间的寄生电容小，不受外界偏压的影响，使器件有较高的开关速度。如工艺中常用的场氧化就是生长较厚的二氧化硅膜，达到器件隔离的目的。 2．1．5 MOS场效应晶体管的绝缘栅材料 二氧化硅的厚度和质量直接决定着MOS场效应晶体管的多个电参数，因此在栅氧化的工艺控制中，要求特别严格。 2．2 热氧化方法介绍 2．2．1 干氧氧化 干氧氧化化学反应式：Si+O2 == SiO2 氧分子以扩散的方式通过氧化层到达二氧化硅-硅表面，与硅发生反应，生成一定厚度的二氧化硅层。 干氧化制作的SiO2结构致密，均匀性、重复性好，掩蔽能力强，对光刻胶的粘附性较好，但生长速率较慢；一般用于高质量的氧化，如栅氧等；厚层氧化时用作起始和终止氧化；薄层缓冲氧化也使用此法。 2．2．2 水汽氧化 水汽氧化化学反应式：2H2O+Si == SiO2+2H2 水汽氧化生长速率快，但结构疏松，掩蔽能力差，有较多缺陷。对光刻胶的粘附性较差，我们公司不采用此方法。 2．2．3 湿氧氧化 湿氧氧化反应气体中包括O2 和H2O ，实际上是两种氧化的结合使用。 湿氧氧化化学反应式： H2+O2==H2O H2O+Si == SiO2+2H2 Si+O2 == SiO2 湿氧氧化的生长速率介于干氧氧化和水汽氧化之间； 在今天的工艺中H2O的形成通常是由H2和O2的反应得到；因此通过H2和O2的流量比例来调节O2 和H2O的分压比例，从而调节氧化速率，但为了安全，H2/O2比例不可超过1.88。 湿氧氧化的氧化层对杂质掩蔽能力以及均匀性均能满足工艺要求，并且氧化速率比干氧氧化有明显提高，因此在厚层氧化中得到了较为广泛的应用，如场氧化等。 2．2．4 掺氯氧化 氧