种高线性度低噪声下变频混频器.PDF

第 46卷 第 4期 微 电 子 学 Vo1．46，NO．4 2016年 8月 croefPcfrDnlcs Aug．2016 一 种高线性度低噪声下变频混频器 高胜凯，高 博 ，龚 敏 ，周银强 (四川省微 电子技术重点实验室，成都 61OO64) 摘 要： 采用SMIC0．18 mRFCM0S工艺，设计 了一种高线性度、低噪声下变频混频器。通 过分析跨导级 电流 3阶展开项系数 ，优化跨导级偏置电压，在跨导级与开关级之间增加谐振频率为 射频信号频率的LC并联谐振 电路 ，在提高电路线性度的同时优化了信噪 比。后仿真结果表明，在 射频频率为 1．575GHz，本振频率为 1．571GHz，中频频率为4MHz时，本振功率为 0dBm，电压 转换增益为 19．22dB，输入 3阶交调点为 21．93dBm，单边带噪声系数为 l1．74dB。混频器工作 电压为 1．8V，功耗为 3．66ITIW ，核心 电路版 图面积为 0．20751Tim 。 关键词 ： 混频器；吉尔伯特 ；高线性度 ；闪烁噪声 中图分类号：TN453 文献标识码 ：A 文章编号：1004—3365(2016)04—0502—05 A HighLinearityLow NoiseDownConversionM ixer GAO Shengkai，GAO Bo，GONG M in，ZHOU Yinqiang (KeyLaboratoryofMicro—ElectronicsTechnologyofSichuanProvince，Chengdu610064，P．R．China) Abstract： A high linearitylow noisedownconversionmixerwasdesigned intheSMIC0．18 m RFCMOS process．Throughtheanalysisofthethird—orderexpansion coefficient，an optimum gatebiaswasapplied tOthe transconductancestageandaparallelLCnetworkresonatingatfRFwasaddedbetweenthetransconductancestage andtheswitchquadtoimprovethelinearityandsignaltonoiseratio．Resultsfrom layoutsimulationshowedthat themixerachievedavoltageconversiongainof19．22dB，aninput-referredthird-orderinterceptpointof21．93dBm andasinglesidebandnoisefigureof11．74dB whentheradiofrequencywas1．575GHz，thelocaloscillatorwas 1．571GHzandtheintermediatefrequencywas4 MHz．Thismixeroperatedata1．8 V powersupply，andthe powerconsumptionwas3．66mW ．Thecorecircuitoccupiedachipareaof0．2075mm ． Keywords： Mixer；Gilbert；Highlinearity；Flickernoise 双平衡吉尔伯特混频器因其射频 (RF)信号与 引 言 本振(L0)信号间良好的隔离度而被广泛采用 。在 接收系