溅镀法制程条件对溅镀薄膜特性影响之探讨.doc

濺鍍法製程條件對濺鍍薄膜特性影響 　 (sputtering deposition)乃是利用高能粒子(通常是由電場加速的正離子)撞擊靶材表面， 藉由動量轉換，將靶材表面物質濺出，而後在基板上沉積而形成薄膜。 　 　 　 ? 基板上薄膜之沈積，初始於佈滿在晶片上的許多粒子或氣體分子，這些粒子可能因經歷表面擴散運動而失去部份動能之後，被晶片表面吸附而沈積，也有可能因為跟其他粒子或氣體分子反應而產生固態粒子，然後沈積在基板表面，因此濺鍍過程中的氣氛，對薄膜晶體的形成有很大的影響，因此，改變銦錫氧化物的濺鍍環境一直是各界探討的主題。 ? ２．濺鍍功率 ? 濺鍍功率的大小會影響濺射粒子的能量，因為隨著濺鍍功率的不同，濺射原子密度和平均能量也不同，因而改變了薄膜沈積速率及薄膜結構、結晶優選方向。 ? ３．濺鍍靶材所需要的特性 ? 靶材因純度、含量和添加量等不同比例都會影響到其組成；組成不同，會影響膜的性質（例如電性、透光度）。 ４．靶材與基板距離 ? 濺鍍粒子到達基板表面時所具有的能量，決定了薄膜的沈積速率，當基板置於適當位置時，可得到最佳的沈積速率。 ５．後處理環境 ? 膜可藉著於融點以下的加熱，使薄膜內之原子於晶格中重新排列，以形成較為穩定的結晶體。