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第四章 电磁波的传播§1 平面电磁波 一、电磁场的波动方程 §2 电磁波在介质界面上的反射与折射 一、反射和折射定律 1．电磁场边值关系 2. 波矢关系式 §3 有导体存在时电磁波的传播 一、导体内自由电荷分布 §4 谐振腔 一、LC回路中的电磁振荡 §5 波 导 一、高频电磁能量的传输 讨论： s 越大，R越接近1； w 越小（l 越大），R 越接近1。 微波或无线电波的频率很小，一般金属均可近似看作理想 导体（ ），电磁波近似全部反射（如微波炉）。 物理图象：进入导体的电磁波诱导传导电流，传导电流激发的电磁场将减弱原电磁场（否则不稳定），使导体内电磁场迅速衰减，电磁波只能透入导体表面薄层。薄层厚度与w 和s 有关。w 或s 越大，厚度越小。导体内诱导的传导电流激发电磁场形成反射电磁波。反射波强度接近入射波，对于良导体，入射波能量几乎全部反射。同时，实际导体有焦耳热损耗，电磁波能量部分耗散，一般情况，良导体吸收很少部分电磁波能量。 Ex. 1 证明对于良导体，在非垂直入射时有 解：设入射波矢为 ，有 对良导体 导体内波矢 而 选入射面为xz 面 （ 与 同级， ） 又 略去 且 垂直于表面， 接近法线方向，穿透深度由 给出。 Ex. 2 高频下良导体的表面电阻。 趋肤效应使电流分布于表面薄层，这样的电流分布可看成面电流分布（把薄层压缩到导体表面），用线电流密度描述电流面分布。 线电流密度 定义为：通过单位横截线的电流。 与电流密度的关系： 考虑垂直入射，导体内电磁波 令 其中 平均损耗功率密度 平均损耗功率面密度 对于良导体 良导体在高频下的电阻相当于厚度为 d 的薄层直流电阻。 说明：右图为一薄层直流电阻， 考虑一简谐变化的面电流，其线密度 耗散功率（单位时间的焦耳热损耗） 平均耗散功率 表面平均损耗功率面密度 电场能量与磁场能量相互转换，振荡频率 提高振荡频率，需减小C 或 L 。1）C 小，极板面积减小，电容器越难将电场束缚在板间，能量将向外辐射将变强。2）L减小，线圈长度(或密度）越小，向外辐射的能量越多。LC 回路只能产生低频振荡。 要产生高频振荡，需将电磁场“封装”在某一有限空间，比如将电容器四周封闭，形成腔体。 Q: 这样的封闭导体腔能否产生电磁振荡？ 二、理想导体边界 理想导体s 趋于无穷，穿透深度趋于0，电磁波被全部反射，理想导体构成电磁波存在的边界。 理想导体的边界条件 在介质一侧，电场强度切向分量为0；磁感应强度法向分量为0。可以形象地表述为：在理想导体表面，电力线与表面垂直，磁感应线与表面相切。 对单一频率电磁波，Maxwell方程只有两个是独立的。边界条件其实也只有两个独立。 对于线性介质，在介质一侧， （在界面附近，电场与表面垂直，选z 方向为界面法线方向，可得上式） 这一条件可以为求解带来方便。 Ex. 两无限大平行导体板之间传播的TEM波。 选平面电磁波传播方向为z 轴方向，电场有两个基本偏振方向，选为x 和y 方向。由电场边值关系，只允许电场沿y 方向偏振（磁场沿x 方向偏振）。无限大平行导体板间只能传播一种偏振的TEM平面波。 三、谐振腔 考察对象：由理想导体构成的矩形腔。 对单一频率电磁波， 空间部分满足Helmholtz方程 有三个分量方程，记为 表示电场分量 中的一个。 用分离变量法求解，令 分别只与 有关。 分析：保持 和 不变，改变 ，由于右端是常数，所以 应是与 无关的常数，设为 1）若 ，方程的解为 它在 x 方向不是平面波，在物理上不合理，舍弃。 2）若 ，令 同理， 或写为复数形式 其中 可以是 中的任一个，设是 ，考虑其复数形式 ， 在 x=0 表面 在 z=0 表面 在 y=0 表面 要求对任意 x、y 成立， * * 1. 在真空中 又由 电磁场在真空中的波动方程: 或表为 ， 其中 讨论： 上述方程的解决定于边界条件，有多种形式的解 所有频率的电磁波在真空中都以光速传播（如无线电波、光、X射线和 g 射线等）。 光速是最基本的物理参数量之一。（c: 电磁现象；G: 万有引力；k: 热现象，h : 量子现象） 2. 在介质中 极化率与电磁波频率有关 在线性介质中， 电容率和磁导率与频率有关的现象称为介质的色散。 注意： 由于色散效应，一般而言，对于介质中没有和真空情形类似的波动方程（不能以