硅晶片表面污染物去除的关键工艺.pdfVIP

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2017-06-01 发布于浙江
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硅晶片表面污染物去除的关键工艺.pdf

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硅晶片表面污染物去除的关键工艺

! # $ % ’ ( 专题报道 !#$%’() *+, -.’/),+(01 2,+3#1)4 56(#*61)#,0(7 硅晶片表面污染物去除的关键工艺 !#$ % ’(#)*$+,*-, !./0 01$+2,3$)4,35 0,678 ’(3*938 :)11+*4$3 ;/ % 摘要硅晶片的清洗通常是在一个过流清洗槽中进行其中流过晶片的水流平均速 8 ! ’()*+,’- #$ % 度为而在晶片表面的速度则为零清洗效率受到污染物从硅片表面扩散出并进入到水流 ! ./01 % 速率的限制报告了清洗效率的提高通过对初次将污染物扩散进停滞层的循环进行重复 2 !/34 % 然后倾倒清洗槽从而去除大部分污染的停滞层通过旋转晶片并利用离心力去除更大部分 ’ ( % % 5!6 的停滞层每个清洗循环可将清洗效率再提高倍与目前的浸泡式清洗技术相比本方法可 % !% % 以完全去除可溶性污染物%而使用的水量降低倍 $% 关键词洗涤清洗倾倒清洗倾斜清洗离心力扩散喷雾处理器湿法工作台旋转清洗 8 ! ! ! ! ! ! ! ! 甩干机使用水量 ! 中图分类号文献标识码! 文章编号! ’=?@ABC D EFFGHGIFJ (KFFG %FBLFFKJLFM 90(40(78 : ;,0)0=. ,+1’44 0( ;+()=0(=)0+( ?’+@6. %2$ % N(2)*$+,*4, (./0 0,$+2,3$)4,35 0,67O N(3*938 :)11+*4$38 ;/D % :A4),61)8 =(+ 2)1*)1P Q246+** 4R *)5)64, S3R+2* )* ,-2T355U 6322)+V 4$ ), 3, W-X+2R54SW Y3$( ), S()6( S3L $+2 R54S* Q3*$ $(+ S3R+2* 3$ 3X+23P+ X+546)