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磁控溅射法沉积TiO_2低辐射膜及AFM分析
SEMICOND UCTOR OPTOEL ECTRONICS Vol . 26 No. 5 Oct. 2005
材料 、结构及工艺
磁控溅射法沉积 TiO2 低辐射膜及 AFM 分析
1 1 2 2
郑子尧 , 王 柱 , 李春领 , 赵青楠
( 1. 武汉大学 物理科学与技术学院,湖北 武汉 430072 ; 2 . 武汉理工大学,湖北 武汉 430072)
摘 要 : 用直流反应磁控溅射法在玻璃基片上 ,在不同氧分压条件下制备了一组 TiO2 低辐
( )
射薄膜样品。用原子力显微镜 A FM 观察了不同制备条件下得到的 TiO2 薄膜样品的表面形貌 ,
并测量了它们的红外透过率 ,发现随着氧分压上升 ,薄膜晶粒长大 ,红外透射率降低 。
关键词 : 直流反应磁控溅射 ; 低辐射膜 ; 原子力显微镜
中图分类号 : TB303 文献标识码 : A 文章编号 : 100 1 - 5868 (2005) 05 - 04 18 - 03
AFM Analysis on TiO2 LowE Thin Fil ms Deposited by Magnetron Sputtering
ZH EN G Ziyao1 , WAN G Zhu1 , L I Chunling2 , ZHA O Qingnan2
( 1. Dept. of Physics , Wuhan University , Wuhan 430072 , CHN;
2 . Wuhan University of Technology , Wuhan 430072 , CHN)
Abstract : TiO2 t hin film s were grow n on gla ss sub st rat e by DC reactive magnet ro n
sp ut t ering at different o xygen p artial p re ssure . The morp holo gy of TiO2 t hin film s depo sit ed
under variou s sp ut t ering condition s were ob served by u sing A FM , and op tical t ran smit t ance
sp ect ra of TiO2 t hin film s were mea sured . The re sult s show t hat t he TiO2 t hin film s depo sit ed
under t he higher o xygen p re ssure have t he bigger cry st allit e s and t he lower inf rared
t ran smi ssivit y .
Key words : DC reactive magnet ron sp ut t ering ; lowemi ssivit y film s ; A FM
1 引言 我们使用直流反应磁控溅射制备 TiO2 薄膜 。
磁控溅射具有制备工艺简单 、成本低等优点 , 已成为
低辐射镀膜玻璃表面镀有一层低辐射膜 。所谓
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