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第一章 半导体的基础知识 第一节 半导体二极管 教学目的：1、了解半导体材料 2、知道PN结的特性 3、了解晶体二极管的结构和工作原理 4、掌握基本二极管电路的分析方法 教学重点：1、PN结导电特性 2、二极管的导电特性及主要参数 教学难点：1、PN结导电特性 2、二极管伏安特性 教学方法与手段：1、教师讲授与学生练习、实验实训相结合。 2、板书与多媒体课件相结合。 课时计划：4课时 一、本征半导体 纯净的半导体称为本征半导体。 1）半导体的特性 按导电能力物质划分为:导体、绝缘体、半导体。 半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间。 半导体的导电特性：有热敏性、光敏性和掺杂性。 本征激发：我们把在热或光的作用下,本征半导体中产生电子空穴对的现象,称为本征激 发,又称为热激发。本征激发产生了电子－空穴对。 二、杂质半导体 1）N型半导体 在纯净的半导体硅（或锗）中掺入微量五价元素（如磷）后,就可成为N型半导体,在这种半导体中,自由电子数远大于空穴数,导电以电子为主,故此类半导体亦称电子型半导体。 自由电子--多数载流子（简称多子）,空穴--少数载流子（简称少子） 2）P型半导体 在硅（或锗）的晶体内掺入少量三价元素杂质,如硼（或铟）等，就构成了P型半导体，在这种半导体中，自由电子数远小于空穴数，导电以空穴为主，故此类半导体亦称为空穴型半导体。 三、 PN结 1） PN结的形成 在一块完整的晶片上,通过一定的掺杂工艺,一边形成P型半导体,另一边形成N型半导体。在交界面两侧形成一个带异性电荷的离子层,称为空间电荷区,并产生内电场,其方向是从N区指向P区,内电场的建立阻碍了多数载流子的扩散运动,随着内电场的加强,多子的扩散运动逐步减弱,直至停止,使交界面形成一个稳定的特殊的薄层,即PN结。因为在空间电荷区内多数载流子已扩散到对方并复合掉了,或者说消耗尽了,因此空间电荷区又称为耗尽层。 2） PN结的单向导电特性 偏置电压：在PN结两端外加电压,称为给PN结以偏置电压。 （1) PN结正向偏置 正向偏置：给PN结加正向偏置电压,即P区接电源正极,N区接电源负极,此时称PN结为正向偏置(简称正偏),此时PN结处于正向导通状态。 如上图所示。由于外加电场与内电场的方向相反,因而削弱了内电场,使PN结变窄,促进了多子的扩散运动。形成了较大的正向电流。 （2) PN结反向偏置 反向偏置：给PN结加反向偏置电压,即N区接电源正极,P区接电源负极,称PN结反向偏置(简称反偏)。只有少数载流子形成的很微弱的电流,称为反向电流。 如上图所示。由于外加电场与内电场的方向一致,因而加强了内电场,使PN结加宽,阻碍了多子的扩散运动。在外电场的作用下,应当指出,少数载流子是由于热激发产生的,因而PN结的反向电流受温度影响很大。结论：PN结具有单向导电性。即加正向电压时导通,加反向电压时截止。 四、半导体二极管 一)、二极管的结构 二极管的结构外形及在电路中的文字符号如图4.7所示, (a)结构；(b)符号；(c)外形 在图所示电路符号中,箭头指向为正向导通电流方向。 类型： (1)按材料分:有硅、锗二极管和砷化镓二极管等。 (2）按结构分:有点接触型、面接触型二极管、平面型二极管。 (3）按用途分:有整流、稳压、开关、发光、光电等二极管。 (4）按封装形式分:有塑封及金属封等二极管。 (5)按功率分:有大功率、中功率及小功率等二极管。 二)、二极管的伏安特性 二极管伏安特性曲线 若以电压为横坐标,电流为纵坐标,用作图法把电压、电流的对应值用平滑的曲线连接起来,就构成二极管的伏安特性曲线,如上图所示（图中虚线为锗管的伏安特性,实线为硅管的伏安特性）。下面对二极管伏安特性曲线加以说明。 正向特性：二极管两端加正向电压时,就产生正向电流,当正向电压较小时,正向电流极小（几乎为零）,这一部分称为死区,相应的A(A′)点的电压称为死区电压或门槛电压(也称阈值电压。如上图中OA(OA′)段。 死区电压：硅管约为0.5V,锗管约为0.1V 当正向电压超过门槛电压时,正向电流就会急剧地增大,二极管呈现很小电阻而处于导通状态。正向导通压降：硅管的正向导通压降约为0.6~0.7V,锗管约为0.2~0.3V。如图4.8中AB(A′B′)段。二极管正向导通时,要特别注意它的正向电流不能超过最大值,否则将烧坏PN结。 2.反向特性：二极管两端加上反向电压时,在开始很大范围内,二极管相当于非常大的电阻,反向电流很小,且不随反向电压而变化。此时的电流称之为反向饱和电流IR,见上图中OC（OC′）段。 3、二极管的击穿特性 反向击穿：二极管反向电压加到一定数值时,反向电流急剧增大,这