4-2、共集电极放大电路与共基极放大电路.pptVIP

1令（*）=1，此时对应的频率叫特征频率，记为fT（即放大倍数为1，信号保持不变时的频率）。 且认为β01， fT/ fβ 1 ，β0= fT/ fβ，即 fT = β0 f β1 2 一般有Cb‘e＞＞ Cb‘c 。也可以得到Cb’e 与Cb’c的关系： Cb’e=gm/(2πfT) – Cb’c 2 3 BJT的共基极截止频率 fα 远大于共射极截止频率 fβ 3 处理输出回路时，由于输出回路电流比较大，所以可以得（2） 处理输入回路时，由于输入回路电流比较小，所以不能忽略 Cb’c的分流。 由(1)得: Vb’e-V0= (gmVb’e+V0/R’L)/jωCb’c 由(3)得: 1/ICb’c= 1/[jωCb’c(Vb’e-V0)] = 1/[jωCb’c(Vb’e+gmR’LVb’e)] 定义ZM=Vb’e/ICb’c= Vb’e /[jωCb’c(Vb’e+gmR’LVb’e)] = 1/[jωCb’c(1+gmR’L)] 即第（4）式 R为b’e间的等效电阻 (1)式： 把 Rb // rbe= Rb // ( rbb’+ rb’e)看成一个电阻R//, R//再与Rs分压Vs得到be间的压降，这一压降再在rbe与rb’e间分压得V’s 上图等效为下图的形式，这时只有输入回路含有电容元件，它与RC低通电路相似。 1 用 -180°表示中频范围内共射极放大电路的V。与Vs反相, －arctg(f/fH) 是等效电容C在高频范围内引起的相移，称为附加相移，这里的最大附加相移为-900，当f =fH，时，附加相移= -450 1 类似例4.7.1 (1)gm=IE/VT (2)rb’e=β0 /gm (3)Cb’e=gm/(2πfT) – Cb’c 见（4.7.21 b两式） (4)CM1=(1+gmRC) Cb’c (5)C=Cb’e+CM1 (6)fH=1/(2πRC) 在低频范围内，BJT的极间电容可视为开路，而电路中的耦合电容、旁路电容的电抗增大，不能再视其为短路。据此可画出电路的低频小信号等效电路，如图4. 7. 13a所示 1由此等效电路直接求低频区的电压增益表达式比较麻烦。因此需要作一些合理的近似。 (1)首先假设Rb= Rb1// Rb2远大于此放大电路的输入阻抗Ri，以至Rb的影响可以忽略（ Rb 开路）; (2)其次假设Ce的值足够大，以至在低频范围内，它的容抗XCe远小于Re的值，它与电阻的并联约等于XCe的值。 (3) CeCb2 1 得到： 图4. 7. 13b所示的简化等效电路。然后再将电容Ce折合到基极回路，用C’e表示，其容抗为X C’e= (1+β) X Ce 所以C’e =Ce/ (1+β) ; 2两电容的串联Cb1+C’e定义为C1 2 3图中受控电流源βIb与Rc的并联回路, Rc上的电流为βIb，压降为 βIb Rc。我们可以将受控电流源βIb转换成等效的电压源βIb Rc的形式。 3 图4. 7. 13（c）的输入回路和输出回路都与图4.7.4所示的高通电路相似。 正弦量的相量表示法：页顶 1AVSM是忽略基极偏置电阻Rb时的中频(即通带)源电压增益1 低频响应具有fL1和fL2两个转折率，如果二者间的比值在四倍以上，则取值大的那个作为放大电路的下限频率。 需要指出的是，(*)中C1包含Ce的折算分量。由于Ce在射极电路里，流过它的电流Ie是基极电流Ib的(l+β)倍，它的大小对电压增益的影响较大，因此Ce是影响低频响应的主要因素。 1 由于密勒效应的影响,共射极放大电路的带宽较窄。要增加带宽，就必须减小或消除密勒效应。共基极和共集电极放大电路满足这样的要求。下面将着重讨论共基放大电路的高频响应和上限频率。 1 2从4. 5. 2节的分析己知，共基极放大电路具有低输入阻抗、高输出阻抗和电流增益接近1。这里着重分析它的高频响应。2 3 （a）是图4.5.6共基极放大电路的交流通路；（b）是图4.5.6的高频小信号等效电路。（图4.5.6见下页ppt) 3 4 （c）是（b）的简化图。由于在很宽的频率范围内Ib比Ic和Ie小得多，而且rbb’的数值也很小，因此b’点的交流电位≈0。由图（c）可见，集电结电容Cb’C接在输出端口，因而不存在密勒效应. 4 由图c 推导Ie（底部红色公式）。因此，发射极电流可以看做一个电阻和一个电容并联流过的总电流。如图（d）所示。 1见p174页式（4.7.41a） 1请大家自己推导 2由于Cb?c很小，fH2很高。 2 3由于Cb?e很小，fH1很高。 3