南京邮电学院《模拟电子技术基础》2-12345.docVIP

第二章 双极型晶体管及其放大电路 第一次课 第二次课 第三次课 2-1 双极型晶体管的工作原理 双极型晶体管又称为半导体三极管、晶体三极管，简称晶体管。 构成：三层杂质半导体（三个区）：发射区、集电区、基区 三个电极：基极b、发射极e、集电极c 两个PN结：基区与发射区之间的PN结称发射结（e结） 基区和集电区之间的PN结称集电结（c结） 分类：NPN型、PNP型 结构： 2-1-1 放大状态下晶体管中载流子的传输过程 晶体管处于放大状态的基本条件是：发射结正偏、集电结反偏。 对晶体管发射区的作用是：向基区注入载流子； 基区的作用是：传送和控制载流子； 集电区的作用是：收集载流子。 一、发射区向基区注入电子 e结正偏，从发射区注入基区的电子，形成电子注入电流IEN。同时，从基区注入发射区的空穴，形成空穴注入电流IEP。而基区的空穴浓度远低于发射区的电子浓度，所以IEPIEN，即发射结电流IE≈IEN，方向与电子注入方向相反。 二、电子在基区中的扩散与复合 注入基区的电子，成为基区中的非平衡少子，它在e结处浓度最大，在c结处浓度最小。因此，在基区中形成了非平衡电子的浓度差。使电子继续向c结扩散。 在扩散过程中，非平衡电子与基区中的空穴复合，但由于基区很薄且空穴浓度又低，所以被复合的电子数极少，而绝大部分电子都能扩散到c结。基区中与电子复合的空穴由基极电源提供，使基区中的空穴浓度基本维持不变，这样就形成了基极复合电流IBN，它是基极电流IB的主要部分。 三、集电区收集扩散来的电子 c结反偏，在结内形成较强的内电场，使扩散到c结边沿的电子在该电场作用下漂移到集电区，形成集电区的收集电流ICN。该电流是集电极电流IC的主要部分。 另外，集电区和基区的少子在c结反向电压作用下，向对方漂移形成c结反向饱和电流ICBO，并流过集电极和基极，构成IC、IB的另一部分电流。 在晶体管中，薄的基区将发射结和集电结紧密地联系在一起。它能将e结的正向电流几乎全部地传输到反偏的c结回路中去。这是晶体管实现放大的关键。 之所以称双极型晶体管，是因为在放大过程中有两种载流子参与了导电。 2-1-2 电流分配关系 晶体管三个电极上的电流与内部载流子传输形成的电流之间的关系： IE≈IEN=IBN+ICN （2-1a） IB =IBN-ICBO （2-1b） IC =ICN+ICBO （2-1c） 共发射极直流电流放大系数，反映扩散到集电区的电流ICN与基区复合电流IBN之间的比例关系： （2-2） 含义：基区每复合一个电子，就有个电子扩散到集电区去。值一般在20～200之间。由式（2-1）、（2-2）可得 IC =IB+（1+）ICBO=ib+iceo  IE=IB+IC=IB+ib+iceo=（1+）ib+iceo  IB =IE-IC  其中： iceo=（1+）ICBO称为穿透电流（也称为集电极-发射极间反向饱和电流或漏电流）。因icBo很小，忽略其影响时有： IC ≈ib  IE≈（1+）ib 共基极直流电流放大系数，反映扩散到集电区的电流ICN与射极注入电流IEN的比例关系： （2-6） ＜1，一般约为0.97～0.99由式（2-1）、（2-6）可得 IC =IE+ICBO≈iE  IB =（1-）iE-icBo≈（1-）iE  IE = IB +IC 与之间的关系： 2-1-3 晶体管的放大作用 在图2-2的UBB上叠加一幅度为100mV的正弦电压Δui→e结电压发生变化→e结产生较大的注入电流ΔiE,设为1mAIBN约为10μA，该电流为信号源的输入电流→ΔiE的大部分成为ΔiC≈0.99mA。 因为UCC较高，即使RC较大，仍能保证c结反偏，若取RC=2kΩ，则RC上得到的信号电压为Δuo=ΔiC·RC=0.99×2=1.98V。信号源电压由100mV→RC上的1.98V，放大了约20倍。 RC上的功率为： PO= 而信号源的输入功率为： Pi= PO约为Pi的2000倍。信号功率的放大体现了晶体管的放大作用，这是其区别于其它无源元件的电流和电压变换的主要特征。 注意：1.晶体管的放大作用的能量是由UCC的直流功率转换而来的，晶体管只起到一种控制作用。 2-2 晶体