片上太赫兹天线集成器件ltgaas外延转移工艺研究.docVIP

片上天线集成-GaAs外延转移研究 ，徐建星，彭红玲3，倪海桥3，，牛智川, * （1. 中国科学院西安机械研究所陕西 西安 2.中国科学院大学，北京 100049 3.中国科学院半导体研究所国家重点实验室，北京 100083; 4.研究所光电子信息技术，北京 100083 5. 首都师范大学物理系太赫兹光电子学教育部重点实验室，北京 100048） 摘 要：一种实现片上太赫兹天线开关材料GaAs(LT-GaAs)外延层的转移工艺，使用HNO3-OH-H2O-C3H8O7·H2O溶液-H2O2-HCl腐蚀体系化学湿法腐蚀外延（MBE生长的外延06Ω·cm量级。剥离半绝缘GaAs（与牺牲层得 LT-GaAs与聚合物（COP键合的结构。显微镜（AFM（SEM、高倍显微镜形貌表征表明剥离后的光滑，）为EDAX能谱仪分析结构中不含Al组分，满足光刻形成光电导开关的要求。 ：片上太赫兹天线集成LT-GaAs；外延层转移腐蚀 : ****　　 文献标识码: A 引言 太赫兹(terahertz，THz)辐射是指频率在 0.1～10THz（波长在 30～3000μm）之间的电磁波，位于毫米波与红外线之间的电磁辐射区域。在低频段与毫米波相交叠，而在高频段则与红外线相交叉。由于其特殊的波段位置而具有许多特性如X射线、可见光以及红外线不可探测的材料内部缺陷和隐藏物；太赫兹波的