第2篇(课件)VLSI特征尺寸缩小2004年9月15日.pdfVIP

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2017-06-01 发布于福建
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第2篇(课件)VLSI特征尺寸缩小2004年9月15日.pdf

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第二章 VLSI 特征尺寸缩小工艺每2～3 年出现一代特征尺寸缩小30 ％（为原来的0.7 倍）门延时减少30 ％（工作频率提高43 ％）晶体管密度翻一倍每次翻转消耗的能量减少65 ％（在频率提高43 ％的情况下功耗节省50 ％）芯片尺寸每代增加14 ％尺寸缩小为了（1）尺寸更小（2 ）速度更快（3 ）功耗更低（4 ）成本更低 2004-9-15 清华大学微电子所《数字大规模集成电路》周润德第2 章第1 页工艺技术的发展(2000 年数据) International Technology Roadmap for Semiconductors Year of Introduction 1999 2000 2001 2004 2008 2011 2014 工艺标志点[nm] 180 130 90 60 40 30 电源电压 [V] 1.5-1.8 1.5-1.8 1.2-1.5 0.9-1.2 0.6-0.9 0.5-0.6 0.3-0.6 互连层数 6-7 6-7 7 8 9 9-10 10 最高频率[GHz], 14.9 1.2 1.6-1.4 2.1-1.6 3.5-2 7.1-2.5 11-3 局域－全局 -3.6 µP 最高功耗 [W] 90 106 130 160 171 177 186 电池功率 [W] 1.4 1.7 2.0 2.4 2.1 2.3 2.5 标志年份: 2007/65nm, 2010/45nm, 2013/33nm, 2016/23nm 2004-9-15 清华大学微电子所《数字大规模集成电路》周润德第2 章第2 页工艺特征尺寸缩小（1） 2 1 0 ) n o 1 r 1 0 c i m ( e z i S e 0 r 1 0 u t a e F m u