2011年北京市大学生物理实验竞赛参赛说明书.PDFVIP

2011 年北京市 大学生物理实验竞赛 参赛项目说明书 参赛学校 北京邮电大学 参赛题目 LED 物理特性测量及应用装置的制作 组队负责人 朱 棣 组队成员 代超、何玚 北京市大学生物理实验竞赛组委会制 2011 年5 月 参赛题目 LED 物理特性的测量及应用装置的制作 负责人姓名 性别 出生年月 专业 年级 朱棣 男 1990.8 电子科学与技术 3 手机，email cordialz@bupt.edu.cn 队员姓名 性别 出生年月 专业 年级 代超 男 1992.6 电子科学与技术 3 何玚 女 1991.2 应用物理 3 设计原理与方法： 一、LED的结构及物理特性的测量 发光二极管（LED）是基于注入式电致发光原理制成的，如图1所示一般是N—P—P三层结构的半导体 器件，中间层通常是由直接带隙的G A （砷化镓）P型半导体材料组成，称有源层，其带隙宽度较窄；两 a s 侧分别由G AIA 的N型和P型半导体材料组成，与有源层相比，它们都具有较宽的带隙。具有不同带隙宽 a s 度两种半导体单晶之间的结构为异质结，在图中，有源层与左侧的N层之间形成的是P—N 异质结，而与右 侧的P层之间形成的是P—P异质结，这种结构又称N—P—P双异质结构，简称DH结构。我们看到的LED产 品是将晶片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起 来，如图2所示。当给这种结构加上正向偏压时，就能使N层向有源层注入导电电子。这些导电电子一旦进 入有源层后，因受到右边P—P 异质结的阻挡作用不能再进入右侧的P 层，它们只能被限制在有源层内与 空穴复合。导电电子在有源层与空穴复合的过程中，有不少电子要释放出能量满足以下关系式的光子： E k T hv g B 图1 LED电致发光原理示意图 图2 LED的外部结构 发光二极管具有工作电压低、功耗小、体积小、重量轻、小型化、易于和集成电路相匹配、驱动简单、 寿命长、耐冲击、性能稳定、响应速度快、单色性较好、价格便宜等一系列优点，因此在很多领域，它都 可获得广泛应用。 本项目根据二极管特性，测量了不同颜色LED在正常工作电流即20mA下的光谱以及端电压，得到20mA电流 下LED端电压与中心波长之间的近似函数关系式，通过设计程序和控制电路实现LED伏安特性曲线的自动测 量和计算所测LED中心波长。同时，利用该装置测量了温度、光照对LED伏安特性曲线的影响以及LED发光时 的频率特性。同时自制了基于LED点阵的“触控”板，利用该板可以书写、屏幕滚动等多项功能。 LED的基本物理特性是与它所使用的半导体材料和结构相关，我们的测量主要包括以下几个方面： 1．LED的正向伏安特性 LED是由半导体发光材料制成，因此发光二极管加正向偏压时的正向伏安特性和普通二极管的相似，当 加在发光二极管两端的电压小于阈值电压时，发光二极管中几乎没有电流流过，电压一旦超过阈值电压， 1 电流急剧上升，此时电流与输出光强近似呈线性关系，直线与电压坐标的交点可以作为阈值电压。图3给出 了利用自动测量装置得到的不同颜色LED的伏安特性曲线。 2．LED的温度特性和光照特性