BJT与MOSFET的开关应用.pdfVIP

电路中的 BJT 与MOSFET 前段时间，一同学跟我说，他用单片机做了一个简单的 LED 台灯，用 PWM 的方式控制灯的亮度，但是发现 BJT 总是很烫。他给我的电路图如图一，我问他 3V 时 LED 的发光电流是多大，他说大概十几到二十 mA，我又问他电阻多大，他 说 10K Ω。于是我笑笑说你把电阻小一点就好了。他回去一试，说用了个1K Ω的 电阻，就没有任何问题了。 我很失望他没有问我为什么要这么做，这可能是大多数电子爱好初学者存在 的问题，他们的动手能力很强，但是并不注重基本的理论知识。他们大多数情况 下都是“依葫芦画瓢”，借用现成的电路使用，就连参数和器件型号的选择都疏 于考虑。 图一 案例一 在电子设计制作中，双极性晶体管（BJT）和金属氧化物半导体场效应 管（MOSFET）是用得最多的有源器件。这里笔者试图以自己积累的一些经验来 谈一下 BJT 与 MOSFET 的原理及电路中的具体应用。考虑到多数（分立元件）情 况下，这两种器件在现代电子电路中一般作为开关器件，而恰恰相反的是，我们 大多数的教科书却着重于介绍这两种器件的放大状态，所以这里仅讨论这两种器 件作为开关器件时的特性和应用。 大多数人应该都有这么一个概念：BJT 为电流控制型器件，MOSET 为电压控 制型器件。至于为什么这么说，通过以下的介绍，读者应该都能够很清晰地认识。 首先我们来讨论 BJT 作为开关时的相关理论和基本应用。 图二所示的电路中，我们从Q 的基极注入电流 I ，那没将会有电流流入集电 B 极，大小关系为：I = βI 。而至于 BJT 发射结电压 V ，我们说这个并不重要， C B BE 因为只要 IB 存在且为正值时，这个结电压便一定存在并且基本恒定（约 0.5～ 1.2V，一般的管子取0.7V左右），也就是我们所讲的发射结正偏。既然 UBE 是固 定的，那么，如果 BJT 基极驱动信号为电压信号时，就必须在基极串联一个限流 电阻，如图三。此时，基极电流为 I = （U -U ）/R 。一般情况省略 R 是不允许 B i BE B B 的，因为这样的话 IB 将会变得很大，造成前级电路或者是 BJT 的损坏。 图二 BJT 开关基本形式 图三 电压信号驱动 BJT 接下来进入我们最关心的问题：R 如何选取。前面说到过 I = βI ，为了使晶 B C B 体管进入饱和，我们必须增加 IB ，从而使 IC 增大，RC 上的压降随之增大，直到 RC 上几乎承受了所有的电源电压。此时，UCE 变得很小，约 0. ～0.3V（对于大功 率BJT，这个值可能达到2～3V），也就是我们所说的饱和压降UCE（sat）。如果达到 饱和时，我们忽略 U ，那么就有 I R =βI R =Vcc 。也就是只要保证 I ≥I/β CE（sat） C L B L