Cr和W掺杂的单层MoS2电子结构的第一性原理研究.pdfVIP

物理 学报 ActaPhys．Sin．Vo1．62，No．3(2013)037103 Cr和W 掺杂的单层MoS2电子结构 的第一性原理研究串 吴木生 徐波中 刘刚 欧阳楚英 f江西师范大学物理与通信电子学院，南昌 330022) (2012年8月7日收到；2012年9月8日收到修改稿) 采用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波赝势方法，研究了Cr和W 掺杂对单层二硫化钼 (MoS2)晶体的 电子结构性质的影响．计算结果表明：当掺杂浓度较高时，w 对MoS2的能带结构几乎没有影响，而Cr的掺杂则影 响很大，表现为能带由直接带隙变为间接带隙，且禁带宽度减小．通过进一步分析，得出应力的产生是导致Cr掺杂 的MoS2电子结构变化的最直接的原因． 关键词：二硫化钼，掺杂，电子结构，第一性原理 PACS：71．15．Mb．73．20．一f DOI：10．7498／aps．62．037103 互作用结合 6]．MoS2块体材料是一个禁带宽度为 1引 言 1．29eV[11]的间接带隙半导体，而单层MoS2则为 禁带宽度为 1．8ev 的直接带隙半导体 _15J．这种随 近来，过渡金属氧化物和硫化物 (MX2，M：过 着层数减少引起的带隙由间接到直接的转变 [16】导 渡金属；x：硫属原子)引起越来越多的研究人员 致了单层MoS2发光强度的增加 [171181． 重视，成为非常热 门的材料种类．MX2材料具有 由于MoS2材料在纳米 电子 [19-21]和光子器 良好的光、电、润滑、催化等性能，在氧化物超导 件 [22-24]上有着潜在的应用，因此它的能带结构对 体 半金属磁体 2【』、润滑剂 [3]、催化剂的氧化 于其应用有着直接的影响．为了能够调控MoS2的 还原反应 4j和太阳能转换器 Is]等方面应用非常 电子结构，掺杂是一种重要的方法．尽管已有文献 广泛．二硫化钼 (MoS2)作为一种过渡金属硫化物 对WS2，NbS2等多,00-．硫化合物的结构和 电子特 半导体材料一直受到了人们的关注．MoS2的化 性进行了报道 [25_，但 目前对Cr，w 等与Mo同族的 学稳定性和热稳定性 良好，比表面积大，表面活性 高，具有独特的物理和化学特性 [6-10】，在催化 _11]、 元素掺杂的MoS2的报道还未见到．为此，本文将 润滑 [12]、电化学储锂 [13]等方面都有着广泛的应 通过第一性原理计算，研究单层 MoS2掺杂Cr,W 后其电子结构的变化情况，并分析影响其能带变化 用前景．最近，利用单层MoS2作为通道材料制造 出了具有高 电流开关 比(1×10)和高 电子迁移率 的物理机理．我们的计算结果表 明：单层MoS2内 (200cm2~V_。．s一)的超低待机功耗场效应管 l4『_． 掺入Cr原子后，其能带结构发生明显的变化，由直 MoS2材料是一种典型的层状结构材料，每个 接带隙变为间接带隙；而掺入w 后能带结构基本 MoS2单层都 由一层Mo原子和上下两层 S原子 没有变化．通过进一步的分析，我们发