晶粒细化对MgB2超导临界电流密度的作用.PDF

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 63, No. 6 (2014) 067401 晶粒细化对MgB 超导临界电流密度的作用 郭志超 李平林 (郑州大学物理工程学院, 河南省量子功能材料国际联合实验室, 郑州 450001) ( 2013 年11 月14 日收到; 2013 年12 月25 日收到修改稿) 在多晶系统的MgB 超导体中存在晶粒间较小的整体电流和晶粒内大的局域电流. 用改变升温速率的方 法制备了不同晶粒大小和晶粒连接性的MgB 样品, 并对它们的晶粒大小进行了统计. 采用一种测量超导临 界电流密度的Campbell 法, 分别测量和计算得到了它们的整体电流和局域电流密度. 研究表明: 长时间的烧 结造成晶粒变大, 材料有较大的整体临界电流密度, 而短时间烧结的样品则相反; 同时发现晶粒细化只提高了 样品的局域临界电流密度, 而且样品内部缺陷、杂质及晶界等因素是影响MgB 超导体整体电流传输的主要 因素. 关键词: 晶粒细化, Campbell 法, MgB 超导体, 整体电流和局域电流 PACS: 74.72.–h, 74.62.Bf, 74.20.De, 64.70.Tg DOI: 10.7498/aps.63.067401 的应用需要和超导输运能力的评估, 也是对超导电 1 引 言 性的物理本质的认识和微观机理研究的途径之一. 目前, 能直接区分和测量这两类诱导电流的方法是 超导抗磁性被称为Meissner 效应, 是超导体的 Campbell 法56 . Campbell 法是一种磁测量, 使用 基本属性之一. 不同的超导体中抗磁性被破坏表现 交流直流混合磁场叠加, 一种实施方式是通过测量 为两种方式: 依赖于超导体属于第一类还是第二类 磁场穿透深度与对应的磁通的变化, 即磁通渗透深 超导体. London 理论解释了Meissner 效应, 当外磁 ′ ′ 度 和外加交流磁场ac 的关系. ac- 曲线明显 场 e 沿着平行于表面 ( ) 的 轴放置时, 仅仅 分为两段, 对应的斜率代表的临界电流密度分别对 从表面开始的参数 的距离内磁通可以渗透, 长度 应所描述的整体电流和局域电流, 整体电流对应曲 12 被称为磁场穿透深度 , 但它不能解释第二类 线在小的ac 阶段的线的斜率, 而局域电流对应曲 超导体的混合态中磁场和超导电性的共存问题. 为 线的高场阶段线的斜率, 这是因为在外磁场中被激 了处理中间态问题, 提出了Ginzburg-Landau (G- 发的磁场电流在强的交流磁场作用下整体电流部 L) 理论, 对于第二类超导体, 按照G-L 理论, 和 分被破坏掉. 电流的- 关系由公式 对温度有相同的依赖关系, 特征长度 被称为关 12