同轴电缆头和转接头HPM击穿现象初步分析.pdfVIP

! 第# 卷! 第$ 期 强 激 光 与 粒 子 束 %’( # ，)( $! $**+! ! $**+ 年$ 月 ,-., /0123 45623 5)7 /538-942 :25;6 =( ， 文章编号：! **?@A$$ （$**+ ）*$?*$AA?*@ 同轴电缆头和转接头!# 击穿现象初步分析! 章勇华，! 杨志强，! 李! 平，! 王宏军，! 宋晓欣，! 宁! 辉 （西北核技术研究所，陕西西安#**$@ ） ! ! 摘! 要：! 介绍了同轴电缆头和转接头的,/; 击穿实验研究方法，给出了几种电缆头和转接头微波击穿 功率随微波频率、脉冲宽度、重复频率和脉冲持续时间变化规律的实验研究结果。结果表明：微波击穿发生在 同轴电缆头连接处，是电缆接头沿面滑闪，且击穿功率随同轴电缆及转接头尺寸的减小而降低；击穿功率也随 微波脉冲宽度（A* BC D !C ）的增大而减小，并且在** BC 附近有一拐点；在低重复频率（ D *** ,E）下，重频 对击穿功率的影响不大；微波频率在$( F+G D H( A# .,E 变化时，微波频率对击穿功率的影响不明显；微波脉冲 宽度较窄时（几十BC 以下），击穿功率随持续时间变化不大，脉冲宽度较宽时（百BC 以上），击穿阈值随持续时 间的增大而下降。 ! ! 关键词：! 微波击穿；! 同轴电缆；! 转接头；! 高功率微波 ! ! 中图分类号：! ! 8)*+! ! ! ! 文献标识码：! 5 ! ! 在高功率微波技术研究中，经常要用微波同轴电缆和转接头传输高功率微波脉冲，获知其微波脉冲击穿阈 值和规律，对高功率微波技术研究中功率传输方案的设计有重要的参考价值。 ［］ ! ! 一般产品手册中给出的电缆头和转接头微波击穿实验结果是在连续波或高占空比测试条件下获得的 ， 不适用于窄脉冲、低占空比的高功率微波情况；电缆微波击穿的理论计算一般针对连续波微波，且计算结果比 实验结果大得多，也不适用于高功率微波电缆击穿情况。 ! ! 针对上述问题，本工作开展了几种同轴电缆头和转接头微波击穿功率随微波频率、脉冲宽度、重复频率和 脉冲持续时间的变化规律，并对击穿实验现象和结果进行了初步分析。 $% 实验方法 ! ! 同轴电缆和转接头微波击穿实验装置如图 所示，微波源产生的微波脉冲通过波导定向耦合器、波导? 同 轴转换器后注入到待测单元中，待测单元的微波输出再经波导? 同轴转换器、波导定向耦合器后输出到匹配负 载。用第一个波导定向耦合器、检波器和示波器检测输入微波功率和波形；用第二个波导定向耦合器、检波器 和示波器检测待测单元透射微波功率和波形。若波导的击穿功率足够大，可以确保击穿发生在测试单元或与 测试单元的连接处。 IJ( ! 6KL=MNOIK PINJQNM R =ST=QIM=BO RQ P=O=QMIBIBJ ,/; Q=NUPVB OLQ=CL’P 图! 同轴电缆和转接头微波击穿实验装置 ! ! 微波源采用6 波段;1 级速调管微波源和W 波段百U1 级磁控管微波源。实验对象为常用的两种微波同 轴电缆（6X%+*?$ 和 6YZ+*?# ）和三种微波转接头（同轴转接器4G.?+*Z 、4G.?+*[ （英）\ 6;5?+*Z 和 :ZA$? 4G. 波? 同转换器）。为了书写方便，把测试单元部分的组合器件编号如下： ! 收稿日期：$**@?*+?# ；! ! 修订日期：$**@?*F?A 基金项目：国家FGA 计划项目资助课题 万方数据 作者简介：章勇华（HF*—），男，学士，研究实习员，主要从事,/; 效应研究；西安市GH 信箱A 分箱。 ’6