材料系防腐课件第5章金属局部腐蚀.ppt

第五章 金属局部腐蚀 局部腐蚀现象与特点 局部腐蚀机理和规律性 局部腐蚀影响因素 局部腐蚀控制 其它局部腐蚀形式 选择性腐蚀 生物/细菌腐蚀 涂层下腐蚀 混凝土中腐蚀 人体中腐蚀 核辐射腐蚀 宇宙射线腐蚀 极端条件下腐蚀 ……… 缝蚀 点蚀 E/V I/mA 缝蚀比点腐蚀一般更易发生 E/V I/mA Ep Eprot 缝隙腐蚀的控制 （1）合理设计和施工，避免缝隙，连接处密封、涂覆、妥善排流，清除沉积物。 （2）电化学保护 （3）缓蚀剂 （4）改善介质环境 （5）选择耐缝蚀合金 如：Ni16Cr16Mo5Fe4W2.5Co, 00Cr16Ni17Mo16Fe6W4 (哈氏合金)， 18Cr12Ni3MoTi，Cr28Mo4, Cr30 Mo3，18Cr19Ni3MoTi，18Cr12Ni2MoTi，Ti 合金等均为优良耐缝蚀合金。 §5.4 晶间腐蚀 晶间腐蚀 — 晶粒边界比晶粒本体腐蚀快得多，危害性大。晶间腐蚀在宏观上不易察觉，金属甚至保持光泽，但强度可完全消失。不锈钢，Al，Ni，Cu合金等易发生晶间腐蚀。? 晶粒 晶界 1．晶间腐蚀条件 金属学因素： （1） 晶界异相析出，元素贫乏区形成，如：不锈钢因形成 (Cr,Fe)23C6而导致贫Cr区；铜合金CuAl2，导致贫Cu； (2) 晶界析出易溶相，如Al3Mg2，Mg2Si等溶解，产生晶间腐蚀； （3）位错或空位在晶界积累，导致杂质或缺陷集中； （4）晶界应力较大； （5）多晶金属材料晶界活性较大，易于发生晶界吸附、晶界沉积等反应； （6）热加工处理过程在晶界新相生成。 电化学因素： 晶界与晶粒平衡电位差异，造成电化学腐蚀速度不一； 晶界与晶粒阳极极化率不一， 或腐蚀阻力不一； 介质中氧化剂在晶界和晶粒位置还原行为差异或腐蚀阻力不一。 2．晶间腐蚀理论 （1）贫化理论 在敏化温度，过饱和C化合物 Cr23C6 在晶界析出，其周围形成贫Cr 区，因Cr在晶界扩散比在晶粒扩散速快，使晶界Cr很快耗尽(阳极)，与晶粒形成活化/ 钝化电偶电池，发生阳极选择性腐蚀，促使晶间腐蚀的发生。 （2）晶界杂质或第二相选择性溶解理论 贫化理论不能解析全部现象，如：温度、超低碳不锈钢等。又提出：FeCr 金属间化合物 ? 相，在一定条件下在晶界沉淀，? 相在过钝化电位可发生严重选择性腐蚀。如Al－Zn－Mg合金，晶界析出MgZn2，Mg5Al3而发生选择溶解。 两种理论相互补充，能解释较多晶间腐蚀形象。奥氏体不锈钢在氧化性介质（充气海水）、MgCl2(普遍，严重)、强氧化性介质－HNO3(浓)，Na2Cr2O7等容易发生晶间腐蚀。 3. 影响奥氏不锈钢晶间腐蚀因素 （1）热处理， 用C形曲线表示金属加热温度与加热时间对晶腐蚀敏感性的影响，划线区表示晶间腐蚀敏感性，与合金成分有关。了解加热时间-温度关系，对于制定热处理工艺十分重要。 加热时间 温度 敏化区 敏化温度：450-850 oC 固熔温度:1050-1150 oC （2）元素成分， 含C量增加，晶间腐蚀敏感性提高，18/ 8 SS晶间腐蚀碳临界浓度为0.02％；Cr含量增加，可提高耐晶间腐蚀；Ni增加，晶间腐蚀严重； Ta，Nb，Tc 增加，优先形成碳化物，避免形成Cr23C6，晶间腐蚀受抑制； N增加，晶间腐蚀敏感性提高；Mo对晶间腐蚀影响不大；Si增加可抑制晶间腐蚀； Mn提高晶间腐蚀倾向。 （3）腐蚀介质， 酸性介质中晶间腐蚀较严重 (如H2SO4，HNO3…)， 含Cu2+, Hg2+, Cr6+ 介质可促进发生晶间腐蚀；化工介质，如尿素、海水、水蒸汽(锅炉)等也可发生晶间腐蚀。 4．.晶间腐蚀控制 （1）降低合金含碳量， 如发展超低碳不锈钢（成本高）； （2）加入稳定元素， 如Ti，Nb，对碳亲合力大，优先形成碳化物； （3）固溶处理，使碳化物溶解(1050－1100℃)，然后快速冷却，特别是对焊件处理(快焊快冷)； （4）采用双相钢， 如奥氏体+铁素体(10－20％)，铁素体在晶界，含Cr高，不形成贫Cr区。 (1) 化学法，选择一定的试验溶液和条件，使晶粒处于钝化态，晶界处于活化态，即电位落在B点。观测晶间腐蚀。? 5. 晶间腐蚀试验 (2) 电化学再活化法，控制电位在钝化区，电位向负方向扫描极化，测量活化区电流响应。 §5.5 应力腐蚀开裂 （Stress Craking Corrosion) 特定介质（腐蚀）/ 应力共同作用 — 脆性开裂； 应力腐蚀开裂（SCC）— 材料低于屈服强度应力下，快速发生开裂，直至断裂。 危害