MOS二极管热弛豫时间的二维数值模拟.pdf

第11卷第3期 河北软件职业技术学院学报 V01．11No．3 2009年9月 JournalofHebeiSoftwareInstitute Sep．2009 文章编号：1673-2022(2009)03-0058-04 MOS二极管热弛豫时间的二维数值模拟 韩 露1，熊 平2 (1．重庆邮电大学，重庆400065；2．重庆光电技术研究所，重庆400060) 摘要：本文对二维半导体器件模拟软件MEDICI进行了简 对MOS二极管热弛豫时间进行数值分析。 单介绍。运用MEDICI对MOS二极管进行瞬态分析。观察 不同时刻载流子浓度和耗尽层宽度的变化。并讨论了热弛 1 MEDICI【ll软件概述 豫时间与器件衬底浓度的关系。 关键词：MEDICI；MOS二极管：热弛豫时间 中图分类号：TN368 文献标志码：A 器件模拟的软件，它对势能场和载流子的二维分布 进行建模，通过解泊松方程和电子、空穴的电流连续 性等方程来获得特定偏置下的电学特性。它包括以 O引言 下物理模型：复合、光产生、注人离化、禁带宽度变 化、带问隧道效应、迁移率、寿命等模型。在计算部分 电离积分时，既包括波尔兹曼分布，又包括费米分 假定MOS二极管(如图1)金属栅上所加的电 布，还考虑到了杂质的不完全电离等因素。 压V。不变，或者变化速率很慢以至表面耗尽层中载 MEDICI的模拟过程示意图f2l如图2所示。在 流子浓度能跟上偏压V。变化的状态，此即MOS二 对器件进行模拟过程中，首先完成期间结构和杂质 极管的平衡态。除了上述的平衡状态外，深耗尽状态 (非平衡状态)也是在实际中经常遇到的一种比较重 然后通过数值模拟对器件的性能做出定量的估计， 要的状态。例如，在用非平衡电容一电压法测试杂质 包括器件的端特性和器件内部的物理分布。 浓度分布剖面，或用电容一时间法测试衬底中少数 载流子寿命时，半导体表面就处于这种状态。此外， 电荷耦合器件(CCD)和载流子的雪崩注入也工作在 表面深耗尽状态。 Gate(金属) Polysilicon Silicon Dioxide(氧化物) Silicon(衬底) 图1 MOS二极管的结构 输入文件 计算 输出 图2 MEDIC的模拟过程示意图 从初始的深耗尽状态过渡到热平衡反型层状态 所经历的时间为热弛豫时间％，根据热弛豫时间， 可以估计发生深耗尽的条件。在CCD器件中“电荷 2模拟结构与分析 包”从开始的势阱传递到最后势阱就是在这个时间 内完成的。本文将利用二维器件模拟软件MEDICI， 图3为MOS二极管的仿真网格，其长度为 收稿日期：2009-03—17 作者简介：韩露(1986一)，男，江西宜春人，在读硕士研究生，主要研究方向是半导体器件；熊平(1965一)，男，重庆市人，高级 工程师，主要从事CCD图像传感器及PtSi