实际电容由于制造的工艺导致本身存在寄生电感和寄生电阻，其等效电路.pdf

DDS DDS DDDDSS于寄生电感测量仪的应用 0 引言 实际的电容元件存在着分布参数，其中对电容本身特性影响最大的是寄生电感，这些寄生电 感与电容本身构成谐振回路，使电容在使用时有了一定的局限性，因此，能够测量出电容本 身寄生电感的大小，可以在使用时更合理的选择电容元件。由于寄生电感的电感量很小，多 为nH 级别，导致绝大部分LCR 电桥无法测量电容本身的寄生电感。为了准确的测量寄生 电感，文中描述了一种利用自谐振原理的测量方法，结合DDS 扫频技术可以快速完成寄生 电感的测量，其测量方法简单精确，将能够满足大多数场合的应用。 1 测量原理 实际电容由于制造的工艺导致本身存在寄生电感和寄生电阻， 其等效电路模型如图1 所 示。 图1 实际电容等效电路模型 其中C 为实际电容本身的标称电容， L 是其寄生电感， Rp是其并联等效电阻， Rs 是其 串联等效电阻。寄生电阻会对经过电容的信号造成衰减，但不会影响电容本身的频率特性。 寄生电感会与电容构成串联谐振回路，会使实际的电容在某个频率上发生谐振，这种现象 称为电容的自谐振 。实际电容的阻抗和频率特性曲线如图2 所示。 图2 实际电容频率特性曲线 图2 中的f 0 是电容与其寄生电感构成的谐振回路的谐振频率， 称之为自谐振频率， 实 线部分为实际的电容频率特性曲线， 虚线为理想无寄生电感的电容特性曲线。可见， 在低 于自谐振频率时， 电容呈现容性， 阻抗随频率增高而减小； 然而当频率超过自谐振频率 时， 电容表现出阻抗随频率增高而上升的趋势， 这恰好是电感的特性。该曲线表明实际的 电容仅能工作于自谐振频率以下， 高于自谐振频率时， 电容则表现为感性， 无法再继续 作为电容使用了。可见， 准确的测得电容的自谐振频率， 求出其寄生电感， 对于电容的 正确使用有着非常重要的意义。然而该电感往往非常小，通常为nH 级别，一般的LCR 电 桥无法测量这种微小的电感。因此就需要一种不同于电桥法的测量这种微小电感的方法。 由电感和电容构成的LC 串联回路的谐振频率为： 同时谐振发生时整个LC 回路表现出的阻抗为纯阻性， 即感抗和容抗之和为零。利用这个 原理， 使用一个扫频信号激励待测电容， 测量出谐振频率， 再结合式（1） 即可测出寄 生电感的大小 。根据该原理， 设计1 个扫频发生器产生扫频信号激励待测电容， 然后找 出谐振点， 读出谐振频率即可求出电容的寄生电感。其结构如图3 所示。 图3 寄生电感测试装置功能 其中最核心的部分就是扫频发生器和谐振点检测电路。 2 扫频发生器 扫频发生器在本系统中产生宽频带扫频信号以激励待测电容， 当电容较大时，以常见的电 解电容为例，假设电容为1000F, 其寄生电感为100nH, 则按照式（1）可计算出其自谐振 频率为15. 9kHz, 谐振频率较低；另以瓷片电容为例， 假设其电容值为10pF, 寄生电感约 为10 nH, 则其自谐振频率为500MHz 这两个信号频率相差了4 个数量级，这就需要1 个 宽带的信号发生器，这也是本部分的设计难点所在。若采用传统的模拟信号发生的方法，为 了实现信号频率的可调，一般会采用变容二极管构成的LC 振荡器，然而在信号频率较低 时，所需要的变容二极管的电容量会很大，而传统的变容二极管电容值一般只是几个pF 至 几百pF ,很难满足低频振荡要求。为了简化扫频电路， 以及实现数字化控制， 这里采用 DDS 技术产生宽带信号。DDS 采用的是DA 转换器的原理， 通过计数器累加实现的连续 波形输出 , 而DDS 芯片外围电路简单，通过写它的寄存器便可实现信号频率的调节，同 时产生的信号频率分辨率高，一般可以达到0. 01Hz 级别， 信号频率的跨度大， 可以实 现从几Hz 到几百MHz 的连续信号， 非常适合做扫频发生器。这里采用了AD9854 这款 DDS 芯片，它在300 MHz 时钟驱动下，按照乃奎斯特采样定律可以产生最高150MHz 的 信号，为了得到信号较好的频率则一般只得到最高100MHz 的信号。若要得到高于100MHz 的信号，则可采用其高次谐波得到。基于AD9854 的信号发生电路如图4 所示。限于篇幅， 仅画出了关键的输出部分和电流设置部分。AD9854 内置4~ 12 倍频的时钟倍频器， 因此 可以外加1 个较低频率的时钟，通过倍频器倍频至300 MHz, 这样可以极大的降低高速片 外时钟对系统造成的电磁兼容性问题。AD9854 内部有1个频率控制字寄存器，通过写该