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中国半导体激光器的历次突破与发展_邀请论文_王启明
37 9 Vol. 37, No. 9
2010 9 CHINESE JOURNAL OF LASERS September, 2010
: 0258-7025(2010) 09-2190-08
中国半导体激光器的历次突破与发展
( )
王启明
( , 100083)
; ; ;
TN248. 4 A doi: 10. 3788/ CJ 2190
Breakthroughs and Developments of Semiconductor
Laser in hina
(Invited Paper)
Wang Qiming
( State key Join t La or at ory f or In tegr at ed Optoelectr onics , In stitu te of S em iconductor s , Chin ese Academ y of Scien ces ,
Beijing 100083, Chin a )
Abstract Against the ba kgroundof the first, se ond andthird leaps in the field of semi ondu tor lasers, a thorough
a ount and analysis is given on the major breakthroughs and developments of the semi ondu tor lasers in China.
Key words China; semi ondu tor laser; breakthroughs; developments
1 Cr ,
20 50 , GaA s
,
,
, M aser 1962 1963 ,
, : GaAs P-N
, , 1963
, ( )
, ,
( Bell, La , , ,
IBM, RCA )
1960 , , 1963 12 ,
: 2010-06-28; : 2010-07- 10
: ( 1934- ) , , , 1991
, 1970 ,
5
, , 1 10 h ,
, ,
, , 1999 , 2001
1994 Si
, Si Ge/ Si II
Si Si ,
9 : 2191
5 2 4 2
2
H ( 20 K) GaAs , 10 A/ cm 4 10 A/ cm ,
, , 5 W,
20 W
1970 , Bell GaAs/
GaAs P-N AlGaAs ( DH)
,
, P-N ,
, ,
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