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2017-06-02 发布于湖北
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沟道效应

36 微电子技术 !!!!!!!! 封装与可靠性 ! !!!!!!! 离子注入中的沟道效应控制朱国夫，杨达永（华越微电子有限公司，浙江绍兴） 312016 摘要：离子注入中的沟道效应使注入离子在深度上的控制变得很困难，并使SHEET值的均一性恶化。本文借助计算机模型，对注入剂量、注入能量、硅片基板方位、硅片表面薄膜氧化层厚度变化时，研究分析了注入沟道效应的相应变化。关键词：离子注入；沟道效应；计算机模型；SHEET 电阻；均一性；控制中图分类号：文献标识码：文章编号：（） TN305.3 A 1008-0147 2002 03-36-05 ControlofChannel-effectinIonIL lantin Process p g ， ZHU Guo-fu YANGDa-on y g （，，，） HuaueMicroelectronicsCO.LTD. Shaoxin Zheian 312016 China y g j g ：， Abstract Itisdifficulttocontrolthedethinionim lantationofim urit duetothechannel-effect and p p p y theuniformit ofthesheetbecomes oor.B dintofthemodelofcom utationthestud andanalsisarede- y p y p y y ，， veloedwhentheiondoses ener wafer ositionandthethicknessofoxidationonwafersurfacechanin . p gy p g g ：；；；；； Kewords Ion im lantation Channel-effect Modelofcom utation Sheetresistance Uniformit y p p y Control 向），142cm （垂直方向）。）由离子注入引起的损 1 引言伤层或氧化膜的非晶质化可以降低沟道效应，由于