自旋电子数分别为0.60、-0.15、及0.25电子。.PDF

自旋電子數分別為0.60 、-0.15 、及0.25 電子。 中心之光束線設計碓製造技術分享 光束線—24A1 歷經多年的研發與努力結果，中心之儀器設計技術與 “Anisotropic field-effect mobility of pentacene thin- 經驗已於亞洲地區的同步輻射領域佔有優先地位，並陸續 用用 film transistor: Effect of rubbed self-assembled 戶戶 monolayer ”, Applied Physics Letter 89, 172103 協助其他國家有關加速器建造工程。2006年10月31 日，泰 研研 國同步輻射中心Dr. Prayoon Songsiriritthigul與三位工程師 (2006). 究究 來中心訪問，協商派員至本中心接受為期3個月之訓練，由 成成 以五環素(pentacene)為傳導層所製作的有機薄膜電 本中心提供光束線設計與製造技術傳授。其中一位工程師 買買 晶體，因其具有合理的高電荷遷移率而獲得礑大的 Mr. Methee Sophon並停留4個月，學習機械設計相關技 注意。最近中央研究院陶祜台教授研究群與國家同 術。 步輻射研究中心人員合作研究在烷基三氯矽烷 (nalkyltrichlorosilane)修飾過之基材上所製作之五環 素薄膜電晶體，他們發現沉積在刷磨(rubbing)過的 烷基三氯矽烷之基材上面的五環素分子薄膜其場效 電荷遷移率呈非等向性(anisotropic)增強。其中在刷 磨過的正壬基三氯矽烷(n-nonyltrichlorosilane)修飾 過的表面，五環素分子薄膜其場效電荷遷移率於刷 磨方向上增強了15倍。他們使用X光粉末繞射，AFM 以及Carbon K-edge NEXAFS等技術研究五環素分 子膜的結構，刷磨此烷基三氯矽烷分子層對五環素 分子膜結構的影響，以及如何影響五環素薄膜電荷 遷移率。結果發現刷磨過的烷基三氯矽烷分子層對 於後續沉積的五環素分子具有使其對齊的效應，使 得五環素薄膜在排列以及型態上皆有非等向性，進 而影響五環素薄膜電晶體的場效電荷遷移率。 追念一位真摯的工作伙伴 纊穡金榮博士 本中心研究員曾金榮博士是早期投入研發台灣同步輻射光束線設 施的元老之一，曾擔任本中心光束線副組長、組長及主任室特別助 理。2007年4月7 日凌晨因癌症病逝於美國。 曾博士自民國69年從美國祄拉巴馬大學獲得物理博士學位後，先 服務於美國Oak Ridge國家實驗室，繼任教於美國田納西大學及康乃 曾金榮隒左一鞂參與本中心籌備未來新加速器光源 設施隒穊aiwan馗P餿o闚on馗阺ou陃ce鞂2鞀鞀6諮議委員會阡 爾大學進行科學研究。由於曾博士在美國建造光束線的豐富經驗及優 良表現，正是中心欠缺而顠需的人才，中心遂於民國79年7月邀請曾博士返國一起投入光束線實驗設施的設計建造工作。 曾博士於中心加速器正式出光運轉不久，﹨接任光束線組長的職位，繼續帶領一群致力建設國內首座同步輻射設施的年輕 人，努力推動各類光束線的研發設計，使中心光束線從光源啟用後3座到現有的27座，包括座落於日本SPring-8同步輻射 設施