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第 卷第 期 半 导 体 学 报 23 5 VOl. 23 NO. 5 年 月 2002 5 C~INESE JOURNAL OF SEMICONDUC ORS May 2002 ================================================================= 快速响应SOI 马赫曾德热光调制器% 1 1 1 1 1 2 魏红振 余金中 夏金松 严清峰 刘忠立 房昌水 中国科学院半导体研究所 集成光电子学国家重点实验室 北京 (1 100083D 山东大学人工晶体研究所 济南 (2 250100D 摘要 给出了 分支 热光调制器的模型 实验研制了基于 的 热光调制器 调制 , ( - - D Y MZI SOI SilicOH OH iHSulatOr MZI 器的消光比为-16. 5dB 开关的上升时间为 10pS 下降时间为 20pS 相应的功耗为 0. 39W. 关键词 集成光学 调制器 热光开关 , ; ; SOI ; EEACC , 1250 中图分类号, N 36 文献标识码, A 文章编号, 0253-4177(2002D 05-0509-04 响应. 1 引言 2 Y 分支马赫曾德光调制器的基本结 当前光子器件的研究朝着材料多元化 结构多 ~ 构 元化的方向发展 在各种材料中 由于硅的加工工艺 . 极其成熟 基集成光学始终是人们研究的一个重 分支 干涉型调制器的结构如图1 ( D 所 Si Y MZ a 要方向 光波导具有与 示 由两个 分支和两个相移臂组成 相移臂的长 . ( - - D Y . SOI SilicOH OH iHSulatOr 电路工艺兼容的特点 而且可制作高速 度