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专题 第 10 卷  第 4 期  2014 年 4 月 基于新型非易失存储的存储结构 孙广宇　王　鹏　张　超 关键词 ：新型存储　存储结构　高能效　高可靠性 北京大学 新型存储器件为存储 access memory ，动态随机存取存 DRAM 更高的可扩展性，却存在 结构带来契机和挑战 储器）工艺静态功耗较高的问题 写次数有限、读写性能不对称等 严重阻碍了存储层次的发展。(3) 问题。如何有效地使用新型存储 计算机系统的性能依赖于 传统的SRAM/DRAM 工艺对粒 器件进行存储结构设计，需要解 两种能力 ：微体系结构处理数据 子和射线撞击产生的软错误问题 决的问题包括 ：(1) 如何在各个 的计算能力和整个存储层次将数 没有抵抗能力，与之相关的纠错 存储层次选择合适的新型存储器 据输送给处理器的能力。受制 电路进一步限制了存储容量的增 件？(2) 如何改进当前的存储结 造工艺的影响，微体系结构与存 加并引起了更多的功耗。 构来适应新型存储器件？(3) 能 储层次之间一直存在着差距。近 新型存储器件包括 ：自旋矩 否结合不同存储器件的特性，实 年来，随着处理器的多核、多线 传输磁存储器(spin-torque trans- 现扬长避短？ 程技术的广泛使用，大幅度提升 fer RAM , STT-RAM)、相变存储 的计算能力和增长相对缓慢的存 器(phase-change memory, PCM) 新型非易失存储器 储系统性能使得这一差距变得更 和电阻式存储器(resistive random 大了。因此，存储结构对计算机 access memory, RRAM) 等。它们 　利 自旋矩传输磁存储器 系统整体性能的制约 （即 “存储 具备一个共同特点 ：非易失性， 用磁隧穿结(magnetic tunnel junc- 墙”问题）也越来越大，主要表 也被统称为新型非易失存储器 tion , MTJ) 存储数据。在磁隧穿 现在三个方面 ：(1) 单个芯片上 （nonvolatile memory, NVM ）。与 结中，隧穿绝缘体薄层置于两层 集成处理单元 （核）的数目不断 传统的SRAM/DRAM 工艺相比， 强磁性介质中。自旋矩传输磁存 增长，需要将更多的数据及时输 它们具有高存储密度、低静态功 储器通过自旋转移力矩对两层强 送到片上来匹配处理器的计算能 耗、对粒子及射线撞击产生的软 磁性介质的磁场方向的改变，使 力，对片上存储的容量需求也相 错误具有抵抗能力的优点。然而 得磁隧穿结表现出不同的阻值状 应增加。但是，传统的静态随机 新型非易失存储器也存在读写性 态来进行数据存储。它具有访问 存取存储器(static random access 能不对称、寿命有限、可靠性不 速度快、优秀的耐久性、静态 memory, SRAM) 工艺的存储密度 高等问题，例如，自旋矩传输磁 功耗低的优点，同时也表现出 限制了片上存储容量的增长。(2) 存储器虽然能提供比传统SRAM 良好的工艺可扩展性。Ever spin , 功耗问题已经成为计算机系统的 更高的集成度和极低的静态能 Gr andi s 和日本电气(NEC) 等公 重要考虑因素之一，而传统的 耗，却存在写延迟较高的问题 ； 司已经成功展示了自旋矩传输磁 SRAM/ DRAM （dynamic random 相变存储器虽然能提供比传统 存储器的商业化产品。 18 第 10 卷  第4 期  2014 年 4 月 相变存储器　基于硫属化 展示了高达64GB 存储容量的电 了新的问题，比如相变存储器的 物材