NAND_Flash结构与驱动分析.pdfVIP

一、NANDflash 的物理组成 NANDFlash 的数据是以bit 的方式保存在memorycell ，一般来说，一个cell 中只能存储 一个bit 。这些cell 以8 个或者16 个为单位，连成bitline ，形成所谓的byte(x8)/word(x16) ， 这就是NANDDevice 的位宽。这些Line 会再组成Page ，(NANDFlash 有多种结构，我使用 的NANDFlash 是K9F1208,下面内容针对三星的K9F1208U0M) ，每页 528Bytes(512byte(MainArea)+16byte(SpareArea))，每32 个page 形成一个Block(32*528B) 。 具体一片flash 上有多少个Block 视需要所定。我所使用的三星k9f1208U0M 具有4096 个 block ，故总容量为4096*(32*528B)=66MB ，但是其中的2MB 是用来保存ECC 校验码等额 外数据的，故实际中可使用的为64MB 。 NANDflash 以页为单位读写数据，而以块为单位擦除数据。按照这样的组织方式可以 形成所谓的三类地址： ColumnAddress ：StartingAddressoftheRegister.翻成中文为列地址，地址的低8 位 PageAddress ：页地址 BlockAddress ：块地址 对于NANDFlash 来讲，地址和命令只能在I/O[7:0]上传递，数据宽度是8 位。 二、NANDFlash 地址的表示 512byte 需要9bit 来表示，对于528byte 系列的NAND ，这512byte 被分成 1sthalfPageRegister 和2ndhalfPageRegister ，各自的访问由地址指针命令来选择，A[7:0]就是 所谓的columnaddress(列地址) ，在进行擦除操作时不需要它，why? 因为以块为单位擦除。 32 个page 需要5bit 来表示，占用A[13:9] ，即该page 在块内的相对地址。A8 这一位地址被 用来设置512byte 的1sthalfpage 还是2ndhalfpage ，0 表示1st，1 表示2nd 。Block 的地址是 由A14 以上的bit 来表示。 例如64MB(512Mb)的NANDflash(实际中由于存在sparearea,故都大于这个值) ，共 4096block ，因此，需要12 个bit 来表示，即A[25:14] ，如果是128MB(1Gbit)的528byte/page 的NANDFlash ，则blockaddress 用A[26:14]表示。而pageaddress 就是 blcokaddress|pageaddressinblockNANDFlash 的地址表示为： BlockAddress|PageAddressinblock|halfpagepointer|ColumnAddress 地址传送顺序是 ColumnAddress,PageAddress,BlockAddress 。 由于地址只能在I/O[7:0]上传递，因此，必须采用移位的方式进行。例如，对于512Mbitx8 的NANDflash ，地址范围是0~0x3FF_FFFF，只要是这个范围内的数值表示的地址都是有效 的。以NAND_ADDR 为例： 第1 步是传递columnaddress，就是NAND_ADDR[7:0] ，不需移位即可传递到I/O[7:0] 上，而halfpagepointer 即A8 是由操作指令决定的，即指令决定在哪个halfpage 上进行读写， 而真正的A8 的值是不需程序员关心的。 第2 步就是将NAND_ADDR 右移9 位，将NAND_ADDR[16:9]传到I/O[7:0]上; 第3 步将NAND_ADDR[24:17]放到I/O 上; 第4 步需要将NAND_ADDR[25]放到I/O 上; 因此，整个地址传递过程需要4 步才能完成，即4-stepaddressing 。如果NANDFlash 的 容量是32MB(256Mbit) 以下，那么，blockadress 最高位只到bit24 ，因此寻址只需要3 步。 下面，就x16 的NANDflash 器件稍微进行一下说明。由于一个page 的mainarea 的容量 为256word ，仍相当于512byte 。但是，这个时候没有所谓的1sthalfpage