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半导体技术－薄膜沉积 薄膜沉积 薄膜的沉积，是一连串涉及原子的吸附、吸附原子在表面的扩散及在适当的位置下聚结，以渐渐 形成薄膜并成长的过程。 分类及详述： 化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition ）——CVD 反应气体发生化学反应，并且生成物沉积在晶片表面。 物理气相沉积（Physical Vapor Deposition ）——PVD 蒸 镀（Evaporation ） 利用被蒸镀物在高温（近熔点）时，具备饱和蒸汽压，来沉积薄膜的过程。 溅 镀（Sputtering） 利用离子对溅镀物体电极（Electrode ）的轰击（Bombardment ）使气相中具有被镀物的粒子（如原子）， 沉积薄膜。 化学气相沉积 (Chemical Vapor Deposition ；CVD) 用高温炉管来进行二氧化硅层的成长，至于其它如多晶硅 (poly-silicon) 、氮化硅 (silicon-nitride) 、 钨或铜金属等薄膜材料，要如何成长堆栈至硅晶圆上？ 基本上仍是采用高温炉管，只是因着不同的化学沉积过程，有着不同的工作温度、压力与反应气 体，统称为「化学气相沉积」。 既是化学反应，故免不了「质量传输」与「化学反应」两部分机制。由于化学反应随温度呈指数函数 变化，故当高温时，迅速完成化学反应，对于化学气相沉积来说，提高制程温度，容易掌握沉积的速 率或制程的重复性。 高温制程有几项缺点： 1．高温制程环境所需电力成本较高。 2 ．安排顺序较后面的制程温度若高于前者，可能破坏已沉积材料。 3 ．高温成长的薄膜，冷却至常温后，会产生因各基板与薄膜间热胀缩程度不同的残留应力 (residual stress) 。 所以，低制程温度仍是化学气相沉积追求的目标之一，如此一来，在制程技术上面临的问题及难度也 跟着提高。 按着化学气相沉积的研发历程，分别简介「常压化学气相沉积」、「低压化学气相沉积」及「电浆 辅助化学气相沉积」： 1．常压化学气相沉积 (Atmospheric Pressure CVD ；APCVD) 最早研发的CVD 系统，是在一大气压环境下操作，设备外貌也与氧化炉管相类似。欲成长材料 化学蒸气自炉管上游均匀流向硅晶，至于何以会沉积在硅晶表面，可简单地以边界层 (boundary layer) 理论作定性说明： 当具黏性的化学蒸气水平吹拂过硅芯片时，硅芯片与炉管壁一样，都是固体边界，因靠近芯片表 面约1mm 的边界层内速度大量变化( 由边界层外缘蒸气速度减低到芯片表面速度为零) ，会施予一拖曳 外力，拖住化学蒸气分子；同时因硅芯片表面温度高于边界层外缘蒸气温度，芯片将释出热量，来供 给被拖住的化学蒸气分子在芯片表面完成薄膜材质解离析出所需的能量。所以基本上，化学气相沉积 就是大自然「输送现象」(transport phenomena) 的应用。 常压化学气相沉积速度颇快，但成长薄膜的质地较为松散。另外若晶圆不采水平摆放的方式 (太 费空间) ，薄膜厚度均匀性 (thickness uniformity)不佳。 2 ．低压化学气相沉积 (Low Pressure CVD ；LPCVD) 为进行50 片或更多晶圆批次量产，炉管内晶圆势必要垂直密集地竖放于晶舟上，这明显衍生沉积 薄膜的厚度均匀性问题；因为平板边界层问题的假设已不合适，化学蒸气在经过第一片晶圆后，黏性 半导体技术－薄膜沉积 流场立即进入分离 (separation) 的状态，逆压力梯度 (reversed pressure gradient) 会将下游的化学蒸气 带回上游，而一团混乱。 在晶圆竖放于晶舟已不可免的情况下，降低化学蒸气环境压力，是一个解决厚度均匀性的可行之 道。原来依定义黏性流特性的雷诺数 观察，动力黏滞系数ν 随降压而变小，雷诺数激增，使化学蒸 气流动由层流 (laminar flow) 进入紊流 (turbulent flow) 。紊流不易分离，其为一乱中有序的流动，故 尽管化学蒸气变得稀薄，使沉积速度变慢，但其经过数十片重重的晶圆后，仍无分离逆流的现象，而 保有厚度均匀，甚至质地致密的优点。 3 ．电浆辅助化学气相沉