晶体管原理2.pptVIP

* 2.2双极晶体管的电流传输 1．理想晶体管中的电流传输 Chapter2晶体管 直流特性 ---------------------------------------------------------------------------------- 规定，npn晶体管及pnp晶体管共基极输入电压及输出电压与pn结工作状态的关系如表2一1所示。此外还规定NPN晶体管发射极电流IE流出晶体管为正方向，集电极电流IC及基极电流IB流入晶体管为正方向。 对于PNP晶体管各电极流过电流的正方向的规定刚好与NPN管相反。 双极晶体管共有四种工作方式，相应地划分为四个工作区。正向有源区：发射结正偏，集电结反偏；饱和区：发射结及集电结都处于正偏； 截止区发射结及集电结都处于反偏；反向有源区：发射结反偏，集电结正偏。 2.2双极晶体管的电流传输1．理想晶体管中的电流传输 Chapter2晶体管 直流特性 ---------------------------------------------------------------------------------- （c）少子密度分布；（d）电流密度分布 图2-8 理想晶体管 (a)结构示意图 (b)正向有源区能带图 2.2双极晶体管的电流传输1．理想晶体管中的电流传输 Chapter2晶体管 直流特性 ---------------------------------------------------------------------------------- 基本关系： 基区复合电流 IrB: 另外应满足 ( IB为基极电流 ) (2-3) (2-4) 2.2双极晶体管的电流传输1．理想晶体管中的电流传输 Chapter2晶体管 直流特性 ---------------------------------------------------------------------------------- 对于可实际应用的BJT，上述各电流成分间应满足以下关系： 1）IrBInB(Wb) 等同于WbLnB 2）IpE(-xE)＜＜Inb(0) 发射结的高注入比 3）IpC(xC)＜＜InB(WB) 载流子(对npn晶体管为电子)的输运过程包括： 1. 发射结的注入 2. 基区的输运与复合 3. 集电结的收集 还要满足发射结正偏，集电结反偏，才能使晶体管具有放大作用。 2.2双极晶体管的电流传输 2 缓变基区 Chapter2晶体管 直流特性 ---------------------------------------------------------------------------------- 内建电场 方向 ← → 少子漂移流方向 → （a） ← （b） 内建电场方向 → ← 少子漂移流 方向→ （c） ← （d） 图2－9 缓变基区晶体管的基区内建电场 2.2双极晶体管的电流传输 2 缓变基区 ①基区内建电场 Chapter2晶体管 直流特性 ---------------------------------------------------------------------------------- 假定npn晶体管基区的杂质分布如图2--9（a）所示，空穴因密度差而扩散，低浓度区因空穴堆积而出现净正电荷，高浓度区则因空穴损耗而出现净负电荷。正负电荷所建立的电场阻止空穴扩散。平衡状态下，基区内任意位置上的空穴的扩散趋势与漂移趋势相互抵消，空穴电流密度等于零，其中漂移电场称为基区内建电场，以εbb表示。写出空穴的输运方程即可求出εbb表达式， 一种典型分布形式：基区杂质为指数函数分布： 基区内建电场等于常数 称为基区漂移系数或电场因子 (2-7) 2.2双极晶体管的电流传输 2 缓变基区 ①基区内建电场 Chapter2晶体管 直流特性 ---------------------------------------------------------------------------------- 内建电场造成基区内能带不平，能带总共变动为q|εBB|WB=ηkT。由于基区必须是一种导电类型，例如p型，费米能级必须在禁带中央以下。因此，能带弯曲的总量最