扩散工艺 - 微电子学院微电子实验教学中心-首页-技 ….pptVIP

第三章 扩 散 主 讲：毛 维 mwxidian@126.com 西安电子科技大学微电子学院 3.4 影响杂质分布的其他因素 3.4.1 硅中的点缺陷 缺陷：任何对周期晶格形成扰动都称为“缺陷”。 ①面缺陷：层错、多晶的晶粒间界等； ②线缺陷：位错等； ③点缺陷：杂质原子产生的缺陷，如空位、间隙、间隙 原子团。 空位缺陷：晶格上缺失一个Si原子。主要包括4种： ①中性空位V0 ②带一个负电荷的空位V- ③带两个负电荷的空位V-2 ④带一个正电荷的空位V+ 图3.13 硅中空位的能带图 3.4 影响杂质分布的其他因素 3.4.2 扩散系数与杂质浓度的关系 实验证明： ① 当Nni,D与N无关，称为本征扩散系数（Di）； ② 当Nni,D与N有关，称为非本证扩散系数（De）。 扩散系数与空位浓度成正比 空位浓度与掺杂浓度的关系： ①V0与N无关 ；②高掺杂施主可使V-和V-2浓度增加； ③高掺杂受主可使V+浓度增加。 各种空位以不同方式与离化的掺杂原子相互作用，从而具有不同的ΔE(激活能)和D。 3.4 影响杂质分布的其他因素 总的扩散系数 ①低掺杂（本征扩散系数） Di= Di0+ Di++ Di-+ Di2- ②高掺杂（非本征扩散系数） De= Di0+ Di+