EE80C196KC20 单片机γ 辐射总剂量效应－副本.pdfVIP

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2017-06-03 发布于福建
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EE80C196KC20 单片机γ 辐射总剂量效应－副本.pdf

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第 44 卷增刊原子能科学技术 Vol. 44, Suppl. 2010 年 9 月 Atomic Energy Science and Technology Sep. 2010 EE80C196KC20 单片机 γ辐射总剂量效应 1，2 1，2 2 2 2 金晓明，范如玉，陈伟，杨善潮，林东生（1. 清华大学工程物理系，北京 100084 ；2. 西北核技术研究所，陕西西安 710024 ） 60 摘要：建立商用 16 位单片机 EE80C196KC20 辐射效应在线测试系统，利用 Co 源在 20 rad （Si ）/s 的剂量率条件下研究了电离辐射的失效模式和敏感参数。实验获得了单片机的失效阈值，得到了功耗电流、 I/O 输出、PWM 输出随总剂量的变化规律，从工艺和电路结构分析了敏感参数变化的物理机理，对抗辐射加固设计有重要意义。关键词：电离辐射；微处理器；功耗电流；电平漂移中图分类号：TN431 ；TN792 文献标志码：A 文章编号：1000-6931 （2010 ）S0-0528-05 Gamma Irradiation Induced Total Dose Effects of EE80C196KC20 Single Chip Microprocessor 1, 2 1, 2 2 JIN Xiao-ming ，FAN Ru-yu ，CHEN Wei ， 2 2 YANG Shan-chao ，LIN Dong-sheng （1. Department of Engineering Physics, Tsinghua University, Beijing 100084, China; 2. Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi’an 710024, China ） Abstract: An on-line test system of single chip microprocessor EE80C196KC20 for total ionizing dose radiation effects was presented. The total ionizing dose exposure was performed 60 using a Co irradiator at a dose rate of 20 rad(Si)/s. The degradation process and sensitive parameters were investigated in detail. The failure dose threshold was obtained and the results