激光在材料中的应用.docx

激光在材料中的应用杜鹏(哈尔滨工业大学材料学院材料科学系 1141900308)摘要本文介绍了激光的产生机理和性能特点，从材料吸收和激光波长的关系讨论了激光加工中使用的激光器，介绍了国内外在激光材料加工方面所做的工作，尤其是超微细加工和材料热加工方面的进展。最后展望了激光加工的发展前景，指出应该大力发展激光加工的应用研究。关键词激光 飞秒激光 微加工引言自上世纪60年代成功研制第一台激光器不久，人们就开始进行激光与材料交互作用方面的研究。这是继原子能，计算机，半导体之后人类的又一重大发明。激光在材料中的应用十分广泛，包括：简单的材料吸收光致局部加热，也可以是复杂的光致化学反应已经烧蚀，等离子体的产生等，这些现象都与激光特性，材料性质和加工环境有关。近年来，非接触性和高加工精度受到人们的亲睐，激光切割，激光表面热处理，激光焊接和工业领域的迫切需求大大促进了激光加工技术的实用化。随着深入研究，激光脉冲的时域宽度被压缩的越来越短，由纳秒到皮秒直至飞秒，不但提供加工精度，还可以加工以前长脉冲激光无力加工的透明材料。超短脉冲激光微加工具有广阔的前景。激光的发生受激辐射自发辐射：假设存在于发光有关的两个能级E1、E2。如果原子已经处于高能级E2，它可以自发地、独立地向低能级E1跃迁并发射一个光子。各个原子发射的自发辐射光子，除了能量上的制约以外，发射方向和偏振态都是随机和无规则的。若N2代表高能级E2的原子密度，则在单位体积内单位时间发生自发辐射的原子数(dN2/dt)Sp与高能级的原子数N2成正比。受激辐射：当一个能量hv=E2-E1的光子趋近高能级E2时，入射的光子诱导高能级原子发射一个和自己性质完全相同的光子来。受激辐射的光子和入射光子具有相同的频率、方向和偏振状态1.2激光工作原理红宝石激光器的主要部分是激光工作物质（Al2O3单晶)和激活物质Cr3+提供亚稳态能级，从基态到激发态经亚稳能级构成三能级激光器。受激辐射产生的光子受到谐振腔的限制，光波沿着红宝石轴来回传播，强度越来越强，发出高度准直的高强度相干波。激光在超微细加工方面的发展( 1 ) 利用激光分解有机金属化合物 , 使它析出金属膜层附在衬板上,这是一种对半导体加工和集成光学加工很有用的工艺。( 2 ) 离子注入硅的激光退火。激光照射到受离子轰击而损伤的半导体基片上 , 局部表面温度提高到熔点以上则可使受损伤的部位恢复完善的晶格。改变激光功率密度和照射时间，可以控制晶格的恢复过程, 控制杂质的深度和分布。 ( 3 ) 激光外延再结晶。采用分子束外延的方法在硅片上蒸气沉积非结晶薄膜 , 沉积后的硅片用Q开关 , 单模输出Y A G激光器扫描 , 控制光强使材料表面熔化 , 硅片上蒸气沉积的非结晶层重新结晶化 , 即可获得优良完美的结层 。( 4 ) 激光掺杂。在n型硅上涂上磷的悬浮液,或在p型硅上涂以硼酸溶液,使之干燥形成约1m g/ c m的薄层然后用激光照射,表面熔深0~ 50 微米,结果产生简并层,即nn +和pp +结构.若在n型硅上涂以硼杂质,在p型硅上涂以磷杂质 , 采用同样工艺,则可得到np+和p矿整流结构。正向电阻具有目前欧姆接触的数量级,而反向电阻比正向电阻大1 0 4倍以上。 ( 5 ) 在硅片上形成欧姆接触的激光合金化技术。用激光照射金属膜与硅片反应形成高电导的接触,这就是所谓半导体电路的激光合金化。( 6 ) 集成电路的激光互连术为集成电路的设计和制作提供了新的有利条件。最近的研究表明,用毫微秒脉冲染料激光,能在集成电路的导体之间形成低电阻欧姆接触。这种方法已在MOS结构的扩散硅层和铝之间形成连接。( 7 ) 激光图形发生器。集成电路图形制作的第一步就是掩模制作。这是一道精度要求极高又非常复杂的工序。向来都是用座标仪制作掩模原图 , 再将原图以1 / 10的倍率进行二次缩小。激光图形发生器用激光扫描方法直接制作一次缩小后的掩模原版。( 8 ) 精确定位。激光技术用作集成电路的精确定位,大致有这样三个方面:尺寸测量中的自动定位,掩模自动对准,焊接中的自动定位。由于集成电路的微细化 ,定位精度的要求越来越高,在前两种定位中,要求位置测量精度达到0.05微米以下 , 这只能利用激光技术才能做到。飞秒激光在材料微加工中的应用飞秒激光特性及其与材料相互作用机理由于脉冲宽度极短,就可以在较低的脉冲能量下获得极高的峰值激光强度,例如对 10fs脉冲宽度激光,0.3mJ能量就可在聚焦为直径2um的焦点达到10?18 W/cm的峰值强度,而脉冲宽10ns的长脉冲激光却要300J的能量才能达到同样的峰值强度。较小的损伤闭值。激光加工在时间上可分为两个阶段: (l )激光与材料相互作用,即激光吸收与材料加热 ; (2) 材料熔化和汽化过程,即材料去除程。因此,对特定波长