陶瓷晶界和各类固体分界面.pptx

陶瓷晶界和各类分界面;一、陶瓷晶界;（2）陶瓷中杂质含量明显高于金属和元素半导体，如Si的纯度可达99．9999999％以上，而目前很多陶瓷材料的纯度为96％左右，一般所谓的超纯陶瓷粉体，其纯度也仅为99—99.9％.; (3)陶瓷中的少量添加剂(掺杂)对晶粒尺寸与晶界的性质会起到决定性的作用。 S.Lartigue和Priester在99．96％纯度的氧化铝中掺入500ppm(重量比)的MgO在1500℃热压烧结，发现掺杂与不掺杂的氧化铝陶瓷的三叉点晶界均有高介电常数的片状P相偏析物，但它们的晶粒大小和晶界性质有明显区别，掺Mg的氧化铝陶瓷晶粒尺寸为0.5-1um。 有小的晶粒间空洞，有一定数量的位错线。纯氧化铝陶瓷的晶粒尺寸为10一50um，还有一些异常长大的晶粒，这些晶粒在垂直受压方向上出现较多。; S.Lartigue将陶瓷的晶界分为“特殊”晶界(special GB)和—般晶界（general GB)二种类型。 “特殊”晶界属于重合晶界：小角度晶界、重合位置点阵(CSL)晶界、重合转轴方向(CAD)晶界等，这些都是低能晶界。 一般晶界属于接近重合晶界：由失配位错等组成，它的晶界能略大于“特殊”晶界。 由扫描电镜分析，掺Mg的氧化铝中的晶界有一半以上是“特殊“晶界，而纯氧化铝中只有10%左右的“特殊”晶界。大部分的晶界是接近或平行于密堆积（0001)面。; 由失配位错组成的普通晶界(这类晶界在掺Mg的氧化铝中不到10%)，正是由于掺杂Mg氧化铝陶瓷由很多低晶界能的“特殊”晶界所组成，所以这种材料具有很好的稳定性。 持别是在高温下，晶粒不会明显增大、晶界也不易移动，所以掺Mg氧化铝陶瓷柱高温时能承受大的压应力. （4）许多陶瓷中点缺陷的形成能甚高(约7eV)，对于这样数值的形成能，即使到1800 ℃本征点缺陷（热缺陷)浓度才10-9 数量级，远低于杂质浓度.; （5）在氧化物陶瓷中(特别是由过渡金属氧化物组成的陶瓷)，经常会发生化学计量偏离(主要是形成氧空位所致)，所以陶瓷晶界处的化学计量偏移明显地会受到氧分压和温度的影响。 (6)陶瓷晶界处往注有大量杂质凝集，当杂质聚到—定程度，会有新相产生，新相又称为晶界相。 Bi2O3、SiO2和Sb2O3等常常在Zno晶界生成晶界相；SiO2和Cr2O3等在锰锌铁氧体中也生成晶界相. 杂质在陶瓷晶界的分布如下图所示。;二、分界面;1、Si-SiO2分界面;（1） Si-SiO2分界面的结构;(3)约翰尼森(Jnhnnessen)模型. 本模型认为， Si-SiO2分界面的界面是不平坦的，界面域内有硅夹杂物(硅岛），过渡区的组分是Siox(1＜x＜2)。对于厚度为1000?的的SiO2膜，不平整度达20?，硅岛由几个硅原于到几十个硅原子组成，总的过渡区约35?。John—nessen模型能较好地解释Si-SiO2分界面的许多现象。;（2）、 Si-SiO2分界面附近的缺陷;（3）、 Si-SiO2分界面处的杂质;杂质在分界面外的作用有： (1)使界面可动离子电荷密度Nm，发生变化Na+、H-等使Nm增大，而Cl-使Nm减小 （2）Au、Cs、B、P等杂质能引起固定氧化物电荷Nf变化。 (3)Cr、Au、Ni等杂质具有多重能级．除引起界面态变化外，还可形成杂质界面陷阱。 (4)引起界面附近缺陷数量变化，如Cl-可以明显地减少热氧化层错。 ;2、硅-金属分界面; 研究表明: Si能与很多金属发生反应，生成各种形式的金属硅化物。 Pt、Pd、Ni等金属，在300℃ 附近就能与Si化合，Ta、V、W等耐熔金属要在高温才与Si化合。 当贵金属(如Au)和难熔金属(如w)均匀地淀积在Si表面后，在热处理时，首先生成硅化物；随着温度升高，再生成难熔金属硅化物，同时发生不同硅化物间的相分离，但没有发现有三元系存在。当硅片上淀积W—Ti等难熔金属后，再经700℃热处理就形成Ti—W-Si三元系。; 对于淀积在Si片上的Ni-Pt合金层，研究中发现，首先生成NiSi化台物，这样合金中的Pt成分就会不断增加，在高温或长时间热处理后，Pt就会穿过NiSi层，进入NiSi—si的分界面，使Shockley势垒高度发生变动。 刚淀积在硅片表面的金属—硅分界面，可以近似地认为是一个金—半突变给. 这样的表面一致性很差，所以未经热处理的金-半Shock