1100V-420uF薄膜电容技术要求-湖北三环发展股份有限公司.doc

湖北三环发展股份有限公司 1100V 420uF薄膜电容技术要求tanδ0 ≤2×10-3 100Hz，1.0V电平，+25℃ 等效串联电阻ESR ≤3.0mΩ 1KHz，1.0V电平 杂散电感Ls ≤65nH 工作温度 -40℃～+70℃ 最大热点温度≤85度 存储温度 -40℃～+85℃ 阻燃性 UL94-V0 寿命 100000小时 额定电压下，max(hotspot)≤70℃ 结构要求（单位：mm） D H P H2 86 136 32 5～6 具体结构尺寸如上图表中所示，注意电容最大外径不得大于88mm。H2是电极与电容表面的高度，务必满足不小于5mm的要求，强烈建议控制在6mm。 电极端子M6，螺纹深度≥8mm。 电极端子所在盖板形式不拘泥于上图，要求保证合理的爬电距离。 底部带螺栓，要求螺栓单独发货。 最大电极扭矩要求：≥4Nm；最大安装扭矩要求：≥7Nm。 电气绝缘及检验方法的要求： 极间耐压要求及测试方法：Us（1min），无击穿无放电（电压上升速度小于100V/s，电压稳定后漏电流小于1mA，不得有连续放电声）。 极壳耐压要求及测试方法：4000VAC（@50Hz）,1min，无击穿，无飞弧，无闪络。 要求耐压测试前后容量、损耗角正切在正常范围内，无明显变化。 绝缘阻抗要求及测试要求：Rs*C≥10000s，20℃，100VDC，测试两分钟后