华南理工大学半导体物理第二章课件.pptVIP

* * * * * 杂质的补偿作用 当NDNA时 n= ND-NA ≈ ND，半导体是n型的 当NDNA时 p= NA-ND ≈ NA，半导体是p型的 当ND≈NA时 补偿半导体 有效杂质浓度 补偿后半导体中的净杂质浓度。 深能级杂质 非III、V族元素 特点 多为替位式杂质 硅、锗的禁带中产生的施主能级距离导带底和价带顶较远，形成深能级，称为深能级杂质。 深能级杂质能够产生多次电离，每次电离均对应一个能级。 金是I族元素 故可失去一个电子，施主能级略高于价带顶； 也可得到三个电子，形成稳定的共价键结构。但由于库仑力的排斥作用，后获得电子的电离能大于先获得电子的电离能。即EA3EA2EA1。 金在各种存在ED、 EA3、EA2、EA1四个孤立能级。 点缺陷 热缺陷（由温度决定） 弗伦克尔缺陷 成对出现的间隙原子和空位 肖特基缺陷 只形成空位而没有间隙原子 对于化合物半导体，偏离正常的化学比 化合物半导体中的替位原子 空位易于间隙原子出现 因为空位周围有四个不成对电子，所以空位表现出受主作用； 每个间隙原子有四个可以失去的电子，所以表现出施主作用。 GaAs中的镓空位和砷空位均表现为受主作用； 离子性强的化合物半导体（M,X），正离子空位是受主，负离子空位是施主，金属原子为间隙原子时为施主，非金属原子为间隙原子时为受主。 离子性弱的二元化合物AB，替位原子AB是受主，BA是