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专业英语-第二讲 李聪 2010-03-18 cong.li@mail.xidian.edu.cn 意见与建议 讲课内容 加强专业词汇讲解 加强语法讲解 加强范例讲解 增加阅读内容和范围，拓宽知识面 多涉及微电子领域的前沿知识 实用性词汇和知识 本专业目前和未来发展状况 有关工作、专业课学习、考研和出国 意见与建议 讲课方式 增加英语口语授课量 板书与PPT结合 增加课堂练习 专业相关的英文多媒体资料 课堂上互动收效可能较好，听说方面，老师授课学生听课，即是“听“，学生回答问题即是”说“，不走老传统授课方式，才能避免”哑巴“英语。 课堂作业 变相点名 加分有失公平 教材介绍 本书特点 选材于国外原版教材，涵盖微电子领域前沿知识 专业词汇 难句的深入分析（每章Note部分） 上次翻译分析 The intrinsic carrier concentration for silicon at T = 300 K may be calculated by using the effective density of states function values from Table 4.1. The value of ni calculated from Equation (4.8) for Eg = 1.12 eV is ni = 6.95 × 109 cm-3. The commonly accepted value of ni for silicon at T = 300 K is approximately 1.5 × 1010 cm-3. This discrepancy may arise from several sources. First, the values of the effective masses are determined at a low temperature. Since the effective mass is an experimentally determined parameter, and since the effective mass is a measure of how well a particle moves in a crystal, this parameter may be a slight function of temperature. 专业词汇和短语 intrinsic carrier concentration：本征载流子浓度； effective Density of states：状态密度； commonly accepted：普遍认可的，公认的； approximately：近似地，大约； discrepancy：偏差，误差； arise from ：由……引起； effective masses：有效质量； experimentally determined parameter：实验测定参数； measure：度量； particle：粒子； since：既然，由于，因为； be a slight function：“与……有一些关系” 分句解释 The intrinsic carrier concentration for silicon at T = 300 K may be calculated by using the effective density of states function values from Table 4.1. 提示：“T = 300 K ”读作“T equals 300K” 或者 “T is equal to 300K” 翻译：T=300K时，硅的本征载流子浓度可由表4.1中给出的有效状态密度的（函数）值求出。 The value of ni calculated from Equation (4.8) for Eg = 1.12 eV is ni = 6.95 × 109 cm-3. 提示： “ni”读作“n sub i”或者“n subscript i”；“×”读作“multiplied by”或者“times”；“109”读作“ten to the power nine”或者”ten to the ninth (power)”;” cm-3”读作“per cubic centimeter” 翻译：Eg=1.12eV时，由式4.8可以计算出ni的值为6.95 × 109 cm-3 。 The commonly accepted value of ni for silicon at T = 300 K is approximately 1.5 × 1010 cm-3. 而T=300K时，公认的硅