数字电路数字电子技术第8章.ppt

8.1 什么是半导体存储器 8.2 只读存储器(ROM) 本章小结 （2）读出过程： 例如 读出“1” T 位 刷新控制 线 C EN 1 △ G EN 1 △ D I O D EN 1 △ + U REF R X B 2 G 1 G 3 行选线 读写控制 R/W 数据输出 数据输入 读出放大器 存储单元 1 1 1 1 1 1 该电路的缺点：进行读操作时C上的电荷要损失一部分。 因此，在每次读出后需对存储单元进行一次刷新。 刷新可与读操作同时进行，在读出时让刷新控制端R=1，三态门G3被选通，读出的数据通过G3又反馈到位线上，使电容充电或放电，从而使存储单元进行了刷新。 8.3 随机存储器（RAM） 列地址 寄存器 寄存器 行地址 . . . . . . 码 行 译 输入/输出 缓冲器 读出放大器 存储阵列 2048行×2048列 列 码 译 I/O 输入/输出 控制及定时 0 A A 11 / 1 A A 12 / 10 A A 21 / 行地址选通 RAS 列地址选通 CAS 读写控制 WE 地址输入 2. 动态RAM的结构 举例： TMS44100 （4M×1） 存储阵列为2048行×2048。11条地址线分时传送行地址和列地址。 当 =0，从11条地址线送入的是行地址信号 当 =0，从11条地址线送入的是