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* 紫外探测器 成员：王建利王华珍 目录 1，工作原理 2，紫外探测器的发展 3，紫外探测器的分类 ?热探测器 ?光子探测器 4，紫外探测器的性能参数 5，紫外探测及其应用 工作原理 紫外探测器是将一种形式的电磁辐射信号转换成另一种易被接收处理信号形式的传感器，光电探测器利用光电效应，把光学辐射转化成电学信号。 光学辐射 电学信号 紫外和红外探测技术几乎同时产生于50年代，由于紫外探测器件灵敏度低，一直未能应用，而红外探测技术发展较快。直到90年代，日本开发出雪崩倍增摄像管，使得紫外摄像器件有较高的灵敏度和合适的光谱范围，紫外探测才得到广泛关注 。 紫外探测技术以其独特优势在通信、预警和制导方面得到广泛的应用。 根据紫外探测过程的机理，紫外探测器可分为： 1.热探测器； 2.光子探测器。 热探测器主要分为以下三类： 1.1.测试辐射温差的热电偶： 热电偶是利用温差电效应制成的紫外探测器。当把两种具有不同温差电动势的金属丝或半导体细丝连结成一封闭环时，若用紫外辐射照射一个结点，该结点因吸收入射辐射而升温，于是与另一结点出现温差，在环内产生温差电动势。根据温差电动势的大小(取决于辐射引起的结点温差)则可测出紫外辐射功率。 1.2.金属和半导体热敏电阻测辐射热计： 这是利用某些金属或半导体材料的电阻率随温度有较大变化而制成的探测器。当吸收紫外辐射而温度升高时，金属的电阻率增加(即电阻率温度系数为正)；半导体电阻率则降低(温度系数为负)。根据电阻变化的大小可以测出被吸收的紫外辐射功率。 1.3.热释电探测器： 有些晶体(如热电晶体)一般有自发极化现象，而且自发极化强度随温度升高而下降。当吸收入射紫外辐射而升温时，引起自发极化强度变化，结果在垂直于自发极化方向的晶体两个外表面之间出现微小电压，经放大后就可以用来测量投射到晶体上的紫外辐射功率。 2.1.光电子发射(PE)探测器： 当辐射照射在某些金属、金属氧化物或半导体材料表面时，若该光子能量hv足够大，则足以使材料内一些电子完全脱离材料从表面逸出。利用这种效应制成的探测器就是光电子发射探测器。 2.2.光电导(PC)探测器: 半导体吸收能量足够大的光子后，会把其中的一些电子或空穴从原来不导电的束缚状态激活到能导电的自由状态，从而使半导体电导率增加，这种现象叫做光电导效应。根据光电导效应探测辐射的器件称为光电导(PC)探测器。 2.3.光伏(PV)探测器: 对p-n结加上反向偏压，则当结区吸收能量足够大的光子后，反向电流就会增加。这种情况类似于光电导现象。这类光伏探测器通常叫做半导体光电二极管。 第一代元素半导体材料Si以及第二代化合物半导体GaAs（砷化镓）、InP（磷化铟）等材料由于具有禁带宽度小、波长大、最高工作温度低等特点而使得器件的特性及使用存在很大局限性，满足不了实用的要求。 第三代宽带隙半导体材料主要包括SiC（碳化硅）、GaN（氮化镓）、ZnO（氧化锌）和金刚石等，具有禁带宽度大、电子漂移饱和速度高、介电常数小、导热性能好等特点，适合于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件；而利用其特有的宽禁带，还可以制作蓝、绿光和紫外光的发光器件和光探测器件。 材 料 Si和GaAs 宽带隙半导体材料 Si GaAs SiC 金刚石 GaN ZnO 带隙类型 间接 直接 间接 间接 直接 直接 禁带宽度 (eV) 1.119 1.428 2.994 5.5 3.36 3.37 熔点 (℃) 1420 1238 2830 4000 1700 1975 热导率 (W/cm?K) 1.40 0.54 4.9 20 1.5 - 电子迁移率 (cm2/V?s) 1350 8000 1000 2200 900 - 介电常数 11.9 13.18 9.7 5.5 8.9 - 紫外探测器的主要参数包括： 1.暗电流 2.光电流 3. 量子效率 4.响应度 5.响应时间 当不同波长的光照射探测器时，只有能量满足一定条件的光子才能激发出光生载流子从而产生光生电流。对于半导体材料，要发生本征吸收，光子能量必须大于或者等于禁带宽度，即对应于本征吸收光谱，探测器对光的响应在长波方面存在一个波长界限λ0，根据发生本征吸收的条件 可得到本征吸收长波限的公