多岛单电子晶体管的实现和其源漏特性分析！.PDFVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 %’ ’ $$% ’ ， ， ， S86 *%’ R8 *’ BT@?6 $$% （ ） !$$$/3$I$$%I%’ $’ I !($’/$% B,KB NOP2Q,B 2QRQ,B !$$% ,=?9 * N=UH * 28A * ############################################################### 多岛单电子晶体管的实现及其源漏特性分析! !） !） !） ） ） ） 郭荣辉 赵正平 郝 跃 刘玉贵 武一宾 吕 苗 !）（西安电子科技大学微电子研究所，西安 #!$$#!） ）（河北半导体研究所，石家庄 $%$$% ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） $$’ ( ) $$’ ! 在淀积有纳米间隙栅电极、源电极和漏电极的衬底上生长量子点，制作出多岛结构的单电子晶体管 在 温 * ## + 度下对源漏特性进行了测试，得到了库仑阻塞特性* 并且成功抑制了单岛单电子晶体管中易出现的共隧穿效应，观 察到较大的库仑阈值电压 对试验数据进行了分析，阐明了岛的不同结构组态产生的不同输运效果 * * 关键词：单电子晶体管，量子点，库仑阻塞 ： ， !## #%, #$- 器件，其库仑岛和隧道结的尺寸直接影响着器件的 !. 引 言 单电子特性和工作温度；而且单电子晶体管是尚处 于实验室研究状态的新型器件，有许多问题（如工作 单电子晶体管是依靠库仑阻塞和量子隧穿效应 温度、环境敏感、工艺制作）需要解决，主要研究方向 之间的竞争工作的 与传统的金属 氧化物半导体 是设法减小库仑岛的尺寸、获得适当厚度的隧道结 * / （ ）器件相比，单电子晶体管有许多优点，例如： 以提高工作温度 本文采用分子束外延（ ）工艺 012 * 0LM 特性曲线的多台阶性适合于组建多值逻辑器件、低 制作出铟量子点多岛结构的单电子晶体管，获得了 功耗和小尺度适合于未来更大规模的集成电路、隧 库仑阻塞特性，通过分析测试数据，对多岛结构的单 穿输运是一个快于扩散漂移运动的过程能够满足高 电子