第六讲 等离子体刻蚀doc.doc

干法体硅加工―― 深反应离子刻蚀技术等离子体刻蚀技术 硅的刻蚀与高深宽比机制 应用 等离子体刻蚀技术 等离子体的形成： 当一定量的化学气体进入一定压力的腔体，在上下电极加上 平板间距决定了激发电源的电压，大约是5厘米对应500V，10厘米对应1000V的水平 处于两极之间的等离子体，正电粒子向负极运动，电子向正极运动，电子更快。 离子最终撞击阴极将产生更多的二次电子，二次电子再向正极运动，并被极间电场加速，当能量足够高时，与腔室内的气体分子碰撞，又可以产生新的离子，如此反复，就可以维持腔室内一定区域的等离子状态。 研究表明：等离子体中绝大多数仍为气体分子，自由基和带电粒子只占很小部分，对于简单的直流放电等离子体，自由基约占1%，而离子更是只有大约0.01% 因此，一般等离子体刻蚀反应主要是由自由基去完成的 对于表面不导电的介质薄膜，直流辉光放电产生的等离子体电荷会积聚在绝缘层的表面，最终导致极间电场消失，等离子体也会耗尽。 为此，以交变的电压激发等离子体，使之交替驱动带电粒子轰击两个电极，当高频电压（如13.56MHz），气体中的自由电子在电场作用下加速，获得能量。与气体原子发生碰撞，气体被离子化，又产生更多的电子产生新的原子，分子和离子等，增大了等离子体密度具有一定能量和活性的原子、原子团、离子等基团通过化学反应和物理轰击，从而达到图形转移的效果。 一个电子被加速电压驱使离开阴极表面之后，磁场力使它作圆周运动，运动一段距离之后，它又回到了阴极（如果没有发生碰撞），如此，则电子密度大幅度增加，于是，碰撞几率增加，有效成份增加。 ECR也是类似的机制，只是他使用磁场加交变电场，可以在延长电子运动距离的同时增加其自身能量。 ICP则用交变的电流经由加在线圈上，产生磁场，稳定等离子体，增加有效成份。 等离子刻蚀的基本过程： 气体 离化成活性粒子 扩散并吸附到待刻蚀表面 表面扩散 与表面膜反应 产物解吸附 离开硅片表面并排除腔室 主要反应粒子：离子，原子团（自由基），电子，中性粒子，其中中性粒子流最大，但是离子引起的损伤最重。 高压等离子体刻蚀通常在500mTorr压力下工作，反应离子刻蚀通常在数十mTorr量级工作。 一个典型的机制可以看到刻蚀的基本过程： 带正电的离子在电场的作用下发挥清道夫的作用，不断清除正面的惰性附着物， 留出新鲜的表面供等离子体中化学活性的粒子吸附并反应。 而侧壁由于没有充分的离子轰击，聚合的钝化膜阻止了反应的进行，所以，各向异性得以实现。 干法刻蚀类型和特点 干法刻蚀一般有以下几种：等离子体刻蚀、离子束和溅射刻蚀、反应离子刻蚀和反应离子束刻蚀。 （a）等离子体刻蚀（Plasma Etching） 等离子体刻蚀是运用气体辉光放电中等离子体使气相物质离子化，以强化其与基片的化学反应，而达到刻蚀目的的一种技术。由于等离子体刻蚀一般无法控制活性基团作用于基片的方向，因而是各向同性的，将会引起严重的钻蚀。但是，这种刻蚀通过选择不同的气体和气体混合物可获得较大的选择比。 （b）离子刻蚀 离子刻蚀包括离子束刻蚀（IBE）和溅射刻蚀（SE）两种。它们都是利用具有一定动能的惰性气体（如氩气）的离子轰击基片表面而造成刻蚀的，因此基本上是一种物理过程。 溅射刻蚀（SE）各向异性好，刻蚀图形边缘整齐，有很高的分辨率，但是这种方法轰击离子具有较高能量，易造成样品的辐射损伤，特别对性能较敏感的结构，且刻蚀速率小，并且对不同材料缺少选择性。 离子束刻蚀（IBE）则是利用离子源产生具有一定动能的惰性气体的离子，轰击样品表面而造成刻蚀。离子束刻蚀速率主要取决于离子束入射角、离子能量、离子束流密度[34]以及被刻蚀材料[35]。 （c）反应离子刻蚀（RIE） 在射频溅射刻蚀时，若用反应气体代替惰性气体，则称之为反应离子刻蚀，这种方法是离子轰击的物理效应和活性粒子的化学效应的结合，因而兼有前面两类刻蚀方法的优点，不仅有高的刻蚀速率，而且可以有良好的方向性和选择比，能刻蚀精细图形。 反应离子刻蚀、溅射刻蚀和平板等离子体刻蚀的装置基本上都是平行板电极系统。反应离子刻蚀与溅射刻蚀的主要区别在于：后者只是用惰性气体的离子束，而前者则是用活性气体。 （d）反应离子束刻蚀（RIBE） 利用从离子源发出的化学活性物质对基片表面进行轰击、反应，使基片刻蚀的方法。与IBE的区别是使用活性离子，而不是惰性气体离子。它具有可刻蚀亚微米结构能力，可控制侧壁倾角，减少反应室的玷污及腐蚀等优点，但也存在选择性差、器件寿命短、刻蚀速率低的问题。在新一代高密度等离子体源中，感应耦合等离子体技术（Inductively Coupled Plasma）和螺旋波等离子体（Helicon Plasma）最为引人注目，前者的工作原理是通过