WCT-120操作手册.docx

P=27量测寿命快速指引10步骤：完整安装WCT-120，开机热机稳定30分钟。检查设定及滤光镜，X5D灯头设在Man4，y1。滤光片槽已置入IR通过滤光镜片，灯头高度40-45cm平台之上。打开寿命量测软体；点选（键击）桌面捷径。输入待测样品正确参数值。也许每一片待测样品均要输入。使用者也可经由量测分析之后去做适当修正：下列参数样品名称、 b.厚度（cm）、 c.电阻率（Ω.cm）、 d.样品型式输入正确分析参数：包括光学常数：量参考硅片时，可使用0.7。有绒面或被覆层的待测物可用近1之值。指定MCD：一般值选1E15。参考硅片属低寿命，指定使用1E14。偏光：参考硅片、使用Φ。分析模式：参考硅片使用“Generalized”适用寿命在200us±50us QSS适用 ＜ 200us Transient适用＞200us量测前先作“Zero Instrument”设备归零。将待测样品放置在平台中央。按下量测钮“Measure Wafer”。量测信号资料画面出现，以ZoomIn/Out钮去设定资料收集范围使得红、蓝信号（pc及Ref）均落在虚线范围内并没有被截头掉。确定后，键击量测。闪光发生。再充电6sec后才可再次量测。量测寿命试算表单自动计算出以MCD为函数的寿命。参考硅片的片电阻值要在表示出厂值得10%才会表示机台是工作正常适当的。P=29量测分析原理使用y1Flashing Made（QSS lifetime量测）（硬体），分析模式选Generalized是最稳当的饿、广泛的量测方式。然而在＞100us时常用法是暂态法Transient。暂态法的有利方便之处是不需要填入光学常数。Optical Constant。而在量测要求高精准时使用者无法填入高精准的值。暂态法的缺点是它限用在寿命较高的样品＞100us。也相对带来些杂讯。这两种方式我们在应用时如何交替使用呢？Transient式时灯头闪光设为1/64.分析模式上设为Transient。进行Transient PCD寿命量测。正确选择发如下：Flash光照模式 分析模式 寿命范围 y1 ╱ QSS ＜200us ╲ Generalized Any* 1/64 ╱ Transient ＞100us ╲ Generalized ＞100us一般来说寿命大于100MS，用Generalized选配y1θ2 1/64均可有相同寿命结果在相同少数载子密度下。此事实上此种巧合可用来估计光学常数值#。 P=30准稳态光导量测方法的说明：要使待测样本是在一个长延缓衰退脉冲型式的光下量测。这个光的衰退常数至少要比量测的载子慢10倍以上。也就是使得过剩载子的人口总数量总是一个稳定状态，或者说几乎接近稳定状态。它表示的意思是载子的产生率与复合率达到一个平衡状态。必须同时量测样品的片电导及闪光的光强，且为时间的函数。每一片段时间相对成为一个些许不同的稳定光注入水平。此时样品的片电导也被在载台下层的射频感应线圈所耦合感应。而每一稳定注入水平均是由校正过的光感应器所量测下来。软件转换片电导成为每一小片段时间平均过剩载子浓度Δn。这是应用既有的半导体模式，移动率是掺杂浓度与注入水平的函数。过剩载子浓度是经由减法闪光发生前的暗片电导来得到的。转换量测到的闪光光强成为电子/电洞对在每一片段时间的产生率G。此时需要估计一个光学常数得并到在样本所吸收的入射光的量。计算载子寿命τ成为过剩载子浓度的函数，Δn=G·τ（dΔn／dt=0） 在WCT-120我们使用X的闪光设定使得衰减常数约为2msec 所以QSSPC分析可以描述寿命小于200us的样品。P=30-1本质上QSSPC有下列优点：快而简单的量测方式给出一个大范围的过剩载子浓度相同的寿命值。由于样品在准稳态之条件下量测，非常相似于电池片在户外一定光强下开路状态所量测，其中复合加权的因素，及载子在电池片不同区域的现象几乎相似真实稳态之下完成。所计算的寿命是由所测量的绝对量子所得，而非它们的微分，所以较少X讯倾向的发生。缺点：要去估计Optical Constant：使用手册P:31~37说明。P=30-2几个常用的物理公式：F = m a ，F = q·ξm v = F ·τc = q·ξ·τc v = q·ξ·τc / m vd = q·ξ·τc /