第9章光热光电导光电荷效应及应用.pptVIP

光子学与光电子学 原荣 邱琪 * 图9.4.6 三相单沟道线阵CCD摄像器件 红外探测器可以选用光子探测器和热探测器，目前，热成像系统使用的非制冷焦平面阵列（FPA）探测器，一般均采用热探测器，如碲镉汞（HgCdTe）、锑化铟（InSb）等，而且均工作在8 ~14 ?m波段。 电荷包的存储和转移采用普通的Si-CCD或CMOS读出电路（见9.3节）结构，通过铟柱与探测器阵列进行倒装焊接，构成混合式结构。 铟是一种特殊的金属材料，熔点低（约150 oC），导电性能好，对CCD性能影响小等特点，在CCD集成电路中，常用它作为电极材料。 焦平面阵列器件除采用单沟道线阵结构外，还可以采用双沟道线阵CCD器件结构（图9.3.4）、行间转移面阵CCD结构（图9.3.5）和CMOS面阵成像结构（图9.3.7）。 光子学与光电子学 原荣 邱琪 * 9.5 红外技术的应用 当今社会是信息的时代，60%以上的军事信息由电子技术获取，其中红外技术起到了举足轻重的作用。红外技术应用十分广泛，红外整机既可以单独作为装备使用（如夜视、侦察、遥感），又可以作为核心部件用于其他武器系统（如导弹制导、引信、火控、告警等）。 表9.5.1表示热成像技术的应用范围。 光子学与光电子学 原荣 邱琪 * 9.5.1 红外侦察 在恶劣气候、战场烟雾尘埃弥漫的白天或夜间环境下，可见光观